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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI8402DB-T1-E1
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI8402DB-T1-E1 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI8402DB-T1-E1
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI8402DB-T1-E1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
4-XFBGA, CSPBGA
Datenblatt
SI8402DB.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5250

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Anzahl

Spezifikation

SI8402DB-T1-E1 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI8402DB-T1-E1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI8402DB-T1-E1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 4-Microfoot  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 1A, 4.5V  
Verpackung / Gehäuse 4-XFBGA, CSPBGA  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.3A (Ta)  
Grundproduktnummer SI8402  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI8402DB-T1-E1.

Produkteigenschaften SI8402DB-T1-E1 SI8405DB-T1-E1 SI8401DB-T1-E3 SI8401DB-T1-E1
Artikelnummer SI8402DB-T1-E1 SI8405DB-T1-E1 SI8401DB-T1-E3 SI8401DB-T1-E1
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 950mV @ 250µA 1.4V @ 250µA 1.4V @ 250µA
Paket Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer SI8402 SI8405 SI8401 SI8401
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 12 V 20 V 20 V
Serie - TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Verpackung / Gehäuse 4-XFBGA, CSPBGA 4-XFBGA, CSPBGA 4-XFBGA, CSPBGA 4-XFBGA, CSPBGA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 1A, 4.5V 55mOhm @ 1A, 4.5V 65mOhm @ 1A, 4.5V 65mOhm @ 1A, 4.5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 4.5 V 21 nC @ 4.5 V 17 nC @ 4.5 V 17 nC @ 4.5 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.3A (Ta) 3.6A (Ta) 3.6A (Ta) 3.6A (Ta)
Supplier Device-Gehäuse 4-Microfoot 4-Microfoot 4-Microfoot 4-Microfoot
FET-Merkmal - - - -

SI8402DB-T1-E1 Datenblatt PDF

Laden Sie SI8402DB-T1-E1 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI8402DB-T1-E1 - Vishay Siliconix herunter.

Umweltinformationen
Material Compliance.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-1072014 Rev0 17/Dec/2014.pdf
Datenblätter
SI8402DB.pdf

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Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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