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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI8417DB-T2-E1
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI8417DB-T2-E1 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI8417DB-T2-E1
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI8417DB-T2-E1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 14.5A 6MICROFOOT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-MICRO FOOT®CSP
Datenblatt
SI8417DB-T2-E1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3820

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Anzahl

Spezifikation

SI8417DB-T2-E1 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI8417DB-T2-E1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI8417DB-T2-E1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-Micro Foot™ (1.5x1)  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 1A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 2.9W (Ta), 6.57W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 6-MICRO FOOT®CSP  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2220 pF @ 6 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14.5A (Tc)  
Grundproduktnummer SI8417  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI8417DB-T2-E1.

Produkteigenschaften SI8417DB-T2-E1 SI8410DB-T2-E1 SI8413DB-T1-E1 SI8415DB-T1-E1
Artikelnummer SI8417DB-T2-E1 SI8410DB-T2-E1 SI8413DB-T1-E1 SI8415DB-T1-E1
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±8V ±8V ±12V ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Grundproduktnummer SI8417 SI8410 SI8413 SI8415
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14.5A (Tc) 3.8A (Ta) 4.8A (Ta) 5.3A (Ta)
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 1A, 4.5V 37mOhm @ 1.5A, 4.5V 48mOhm @ 1A, 4.5V 37mOhm @ 1A, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V 20 V 20 V 12 V
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Verpackung / Gehäuse 6-MICRO FOOT®CSP 4-UFBGA 4-XFBGA, CSPBGA 4-XFBGA, CSPBGA
VGS (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA 850mV @ 250µA 1.4V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 5 V 16 nC @ 8 V 21 nC @ 4.5 V 30 nC @ 4.5 V
Supplier Device-Gehäuse 6-Micro Foot™ (1.5x1) 4-Micro Foot (1x1) 4-Microfoot 4-Microfoot
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2220 pF @ 6 V 620 pF @ 10 V - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 2.9W (Ta), 6.57W (Tc) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) 1.47W (Ta) 1.47W (Ta)

SI8417DB-T2-E1 Datenblatt PDF

Laden Sie SI8417DB-T2-E1 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI8417DB-T2-E1 - Vishay Siliconix herunter.

Umweltinformationen
Material Compliance.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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