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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI8425DB-T1-E1
SI8425DB-T1-E1 Image
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SI8425DB-T1-E1 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI8425DB-T1-E1
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI8425DB-T1-E1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 4WLCSP
Verpackung
4-UFBGA, WLCSP
Datenblatt
S18425DB.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 121800

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Spezifikation

SI8425DB-T1-E1 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI8425DB-T1-E1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI8425DB-T1-E1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 4-WLCSP (1.6x1.6)  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 2A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 4-UFBGA, WLCSP  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.9A (Ta)  
Grundproduktnummer SI8425  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI8425DB-T1-E1.

Produkteigenschaften SI8425DB-T1-E1 SI8429DB-T1-E1 SI8424DB-T1-E1 SI8424CDB-T1-E1
Artikelnummer SI8425DB-T1-E1 SI8429DB-T1-E1 SI8424DB-T1-E1 SI8424CDB-T1-E1
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.9A (Ta) 11.7A (Tc) 12.2A (Tc) 6.3A (Ta)
Vgs (Max) ±10V ±5V ±5V ±5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 2A, 4.5V 35mOhm @ 1A, 4.5V 31mOhm @ 1A, 4.5V 20mOhm @ 2A, 4.5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 4-UFBGA, WLCSP 4-XFBGA, CSPBGA 4-XFBGA, CSPBGA 4-UFBGA, WLCSP
VGS (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA 800mV @ 250µA 1V @ 250µA 800mV @ 250µA
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse 4-WLCSP (1.6x1.6) 4-Microfoot 4-Microfoot 4-Microfoot
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 8 V 8 V 8 V
Verlustleistung (max) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 10 V 1640 pF @ 4 V 1950 pF @ 4 V 2340 pF @ 4 V
Grundproduktnummer SI8425 SI8429 SI8424 SI8424
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 26 nC @ 5 V 33 nC @ 5 V 40 nC @ 4.5 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.2V, 4.5V 1.2V, 4.5V 1.2V, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

SI8425DB-T1-E1 Datenblatt PDF

Laden Sie SI8425DB-T1-E1 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI8425DB-T1-E1 - Vishay Siliconix herunter.

Umweltinformationen
Material Compliance.pdf
Datenblätter
S18425DB.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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SI8425DB-T1-E1

Vishay Siliconix
32D-SI8425DB-T1-E1

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