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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI8439DB-T1-E1
SI8439DB-T1-E1 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI8439DB-T1-E1 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI8439DB-T1-E1
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI8439DB-T1-E1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
4-UFBGA
Datenblatt
SI8439DB.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5420

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Anzahl

Spezifikation

SI8439DB-T1-E1 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI8439DB-T1-E1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI8439DB-T1-E1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±5V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 4-Microfoot  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 1.5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 4-UFBGA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 8 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.9A (Ta)  
Grundproduktnummer SI8439  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI8439DB-T1-E1.

Produkteigenschaften SI8439DB-T1-E1 SI8431BB SI8440AA SI8440AB-D-ISR
Artikelnummer SI8439DB-T1-E1 SI8431BB SI8440AA SI8440AB-D-ISR
Hersteller Vishay Siliconix Silicon Power STMicroelectronics Skyworks Solutions Inc.
Vgs (Max) ±5V - - -
Serie TrenchFET® - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 1.5A, 4.5V - - -
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 8 V - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V - - -
VGS (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA - - -
Supplier Device-Gehäuse 4-Microfoot - - 16-SOIC
Typ FET P-Channel - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.9A (Ta) - - -
Befestigungsart Surface Mount - - Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - - -40°C ~ 125°C
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V - - -
Grundproduktnummer SI8439 - - SI8440
Paket Tape & Reel (TR) - - Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) - - -
Verpackung / Gehäuse 4-UFBGA - - 16-SOIC (0.295', 7.50mm Width)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - - Capacitive Coupling

SI8439DB-T1-E1 Datenblatt PDF

Laden Sie SI8439DB-T1-E1 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI8439DB-T1-E1 - Vishay Siliconix herunter.

Umweltinformationen
Material Compliance.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 14/Mar/2018.pdf
Datenblätter
SI8439DB.pdf

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay Siliconix
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