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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI8499DB-T2-E1
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI8499DB-T2-E1 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI8499DB-T2-E1
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI8499DB-T2-E1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-UFBGA
Datenblatt
SI8499DB.pdf
RoHS Status
vorrätig: 179540

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Anzahl

Spezifikation

SI8499DB-T2-E1 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI8499DB-T2-E1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI8499DB-T2-E1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-Micro Foot™ (1.5x1)  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 1.5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 2.77W (Ta), 13W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 6-UFBGA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Tc)  
Grundproduktnummer SI8499  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI8499DB-T2-E1.

Produkteigenschaften SI8499DB-T2-E1 SI8487DB-T1-E1 SI8483DB-T2-E1 SI8472DB-T2-E1
Artikelnummer SI8499DB-T2-E1 SI8487DB-T1-E1 SI8483DB-T2-E1 SI8472DB-T2-E1
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Tc) 4.9A (Ta) 16A (Tc) 3.3A (Ta)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 2.5V, 10V 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 1.5A, 4.5V 31mOhm @ 2A, 10V 26mOhm @ 1.5A, 4.5V 44mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (Max) ±12V ±12V ±10V ±8V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V 12 V 20 V
Supplier Device-Gehäuse 6-Micro Foot™ (1.5x1) 4-Microfoot 6-Micro Foot™ (1.5x1) 4-MICRO FOOT® (1x1)
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse 6-UFBGA 4-UFBGA 6-UFBGA 4-UFBGA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 5 V 80 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 18 nC @ 8 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 10 V 2240 pF @ 15 V 1840 pF @ 6 V 630 pF @ 10 V
Verlustleistung (max) 2.77W (Ta), 13W (Tc) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) 780mW (Ta)
VGS (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA 1.2V @ 250µA 800mV @ 250µA 900mV @ 250µA
Grundproduktnummer SI8499 SI8487 SI8483 SI8472
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

SI8499DB-T2-E1 Datenblatt PDF

Laden Sie SI8499DB-T2-E1 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI8499DB-T2-E1 - Vishay Siliconix herunter.

Umweltinformationen
Material Compliance.pdf
Datenblätter
SI8499DB.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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