Spezifikation
SI8809EDB-T2-E1 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI8809EDB-T2-E1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI8809EDB-T2-E1
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
Vishay / Siliconix |
|
| VGS (th) (Max) @ Id |
900mV @ 250µA |
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| Vgs (Max) |
±8V |
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| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Supplier Device-Gehäuse |
4-Microfoot |
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| Serie |
TrenchFET® |
|
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
90mOhm @ 1.5A, 4.5V |
|
| Verlustleistung (max) |
500mW (Ta) |
|
| Verpackung / Gehäuse |
4-XFBGA |
|
| Paket |
Tape & Reel (TR) |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
|
| Befestigungsart |
Surface Mount |
|
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
15 nC @ 8 V |
|
| Typ FET |
P-Channel |
|
| FET-Merkmal |
- |
|
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) |
1.8V, 4.5V |
|
| Drain-Source-Spannung (Vdss) |
20 V |
|
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C |
1.94 (Ta) |
|
| Grundproduktnummer |
SI8809 |
|
Lieferung
Lieferzeit
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
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SI8812DB-T2-E1Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
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SI88241ED-ISRSkyworks Solutions Inc.DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC
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