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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI8901EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI8901EDB-T2-E1 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI8901EDB-T2-E1
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI8901EDB-T2-E1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6-MFP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-MICRO FOOT®CSP
Datenblatt
SI8901EDB.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4180

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Anzahl

Spezifikation

SI8901EDB-T2-E1 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI8901EDB-T2-E1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI8901EDB-T2-E1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 350µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-Micro Foot™ (2.36x1.56)  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Leistung - max 1W  
Verpackung / Gehäuse 6-MICRO FOOT®CSP  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) Common Drain  
Grundproduktnummer SI8901  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI8901EDB-T2-E1.

Produkteigenschaften SI8901EDB-T2-E1 SI8902EDB-T2-E1 SI8900EDB-T2-E1 SI88621BD-IS
Artikelnummer SI8901EDB-T2-E1 SI8902EDB-T2-E1 SI8900EDB-T2-E1 SI88621BD-IS
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Skyworks Solutions Inc.
Leistung - max 1W 1W 1W -
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 20V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) Capacitive Coupling
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs - - - -
Supplier Device-Gehäuse 6-Micro Foot™ (2.36x1.56) 6-Micro Foot™ (2.36x1.56) 10-Micro Foot™ CSP (2x5) 20-SOIC
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Grundproduktnummer SI8901 SI8902 SI8900 SI88621
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 350µA 1V @ 980µA 1V @ 1.1mA -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Verpackung / Gehäuse 6-MICRO FOOT®CSP 6-MICRO FOOT®CSP 10-UFBGA, CSPBGA 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A 3.9A 5.4A -

SI8901EDB-T2-E1 Datenblatt PDF

Laden Sie SI8901EDB-T2-E1 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI8901EDB-T2-E1 - Vishay Siliconix herunter.

Umweltinformationen
Material Compliance.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-0632014 16/Apr/2014.pdf
Datenblätter
SI8901EDB.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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