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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI9407BDY-T1-GE3
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Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI9407BDY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI9407BDY-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI9407BDY-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
SI9407BDY.pdf
RoHS Status
vorrätig: 76160

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Anzahl

Spezifikation

SI9407BDY-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI9407BDY-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI9407BDY-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 3.2A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.4W (Ta), 5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.7A (Tc)  
Grundproduktnummer SI9407  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI9407BDY-T1-GE3.

Produkteigenschaften SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-E3 SI9407AEY SI9407APDY
Artikelnummer SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-E3 SI9407AEY SI9407APDY
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Electro-Films (EFI) / Vishay SI
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 3.2A, 10V 120mOhm @ 3.2A, 10V - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC - -
Serie TrenchFET® TrenchFET® - -
Typ FET P-Channel P-Channel - -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.7A (Tc) 4.7A (Tc) - -
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 30 V 600 pF @ 30 V - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
Grundproduktnummer SI9407 SI9407 - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - -
Verlustleistung (max) 2.4W (Ta), 5W (Tc) 5W (Tc) - -

SI9407BDY-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI9407BDY-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI9407BDY-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Datenblätter
SI9407BDY.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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