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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI9424BDY-T1-E3
SI9424BDY-T1-E3 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI9424BDY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI9424BDY-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI9424BDY-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
SI9424BDY.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4980

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Anzahl

Spezifikation

SI9424BDY-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI9424BDY-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI9424BDY-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 850mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±9V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7.1A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.25W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.6A (Ta)  
Grundproduktnummer SI9424  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI9424BDY-T1-E3.

Produkteigenschaften SI9424BDY-T1-E3 SI9424DY SI9426DY SI9424BDY-T1-GE3
Artikelnummer SI9424BDY-T1-E3 SI9424DY SI9426DY SI9424BDY-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix onsemi Fairchild Semiconductor Vishay Siliconix
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 4.5 V 33 nC @ 5 V 60 nC @ 4.5 V 40 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±9V ±10V ±8V ±9V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7.1A, 4.5V 24mOhm @ 8A, 4.5V 13.5mOhm @ 10.5A, 4.5V 25mOhm @ 7.1A, 4.5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.6A (Ta) 8A (Ta) 10.5A (Ta) 5.6A (Ta)
VGS (th) (Max) @ Id 850mV @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 850mV @ 250µA
Serie TrenchFET® PowerTrench® - TrenchFET®
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 1.25W (Ta) 2.5W (Ta) 1W (Ta) 1.25W (Ta)
Grundproduktnummer SI9424 SI942 - SI9424
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.7V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)

SI9424BDY-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI9424BDY-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI9424BDY-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
PCN- SIL-0722014 10/Jun/2014.pdf
Datenblätter
SI9424BDY.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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