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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSIA462DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SIA462DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SIA462DJ-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SIA462DJ-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® SC-70-6
Datenblatt
SIA462DJ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 286650

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Anzahl

Spezifikation

SIA462DJ-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SIA462DJ-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SIA462DJ-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SC-70-6 Single  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 9A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.5W (Ta), 19W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SC-70-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  
Grundproduktnummer SIA462  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SIA462DJ-T1-GE3.

Produkteigenschaften SIA462DJ-T1-GE3 SIA450DJ-T1-GE3 SIA448DJ-T1-GE3 SIA471DJ-T1-GE3
Artikelnummer SIA462DJ-T1-GE3 SIA450DJ-T1-GE3 SIA448DJ-T1-GE3 SIA471DJ-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Verlustleistung (max) 3.5W (Ta), 19W (Tc) 3.3W (Ta), 15W (Tc) 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA 2.4V @ 250µA 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±8V +16V, -20V
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® Gen IV
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 7.04 nC @ 10 V 35 nC @ 8 V 27.8 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 9A, 10V 2.9Ohm @ 700mA, 10V 15mOhm @ 12.4A, 4.5V 14mOhm @ 10A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 1.52A (Tc) 12A (Tc) 12.9A (Ta), 30.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 2.5V, 10V 1.5V, 4.5V 4.5V, 10V
Grundproduktnummer SIA462 SIA450 SIA448 SIA471
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 240 V 20 V 30 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 15 V 167 pF @ 120 V 1380 pF @ 1 V 1170 pF @ 15 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SC-70-6 Single PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6

SIA462DJ-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SIA462DJ-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SIA462DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
SIA462DJ.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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