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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSIA912DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SIA912DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SIA912DJ-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SIA912DJ-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Datenblatt
SIA912DJ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4220

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Anzahl

Spezifikation

SIA912DJ-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SIA912DJ-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SIA912DJ-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SC-70-6 Dual  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.2A, 4.5V  
Leistung - max 6.5W  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SC-70-6 Dual  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 6V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.5nC @ 8V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer SIA912  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SIA912DJ-T1-GE3.

Produkteigenschaften SIA912DJ-T1-GE3 SIA917DJ-T1-GE3 SIA907EDJT-T1-GE3 SIA921EDJ-T1-GE3
Artikelnummer SIA912DJ-T1-GE3 SIA917DJ-T1-GE3 SIA907EDJT-T1-GE3 SIA921EDJ-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.4V @ 250µA 1.4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SC-70-6 Dual PowerPAK® SC-70-6 Dual PowerPAK® SC-70-6 Dual PowerPAK® SC-70-6 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.2A, 4.5V 110mOhm @ 2.5A, 4.5V 57mOhm @ 3.6A, 4.5V 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Leistung - max 6.5W 6.5W 7.8W 7.8W
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 6V 250pF @ 10V - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.5nC @ 8V 9nC @ 10V 23nC @ 10V 23nC @ 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SC-70-6 Dual PowerPAK® SC-70-6 Dual PowerPAK® SC-70-6 Dual PowerPAK® SC-70-6 Dual
Grundproduktnummer SIA912 SIA917 SIA907 SIA921
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A 4.5A 4.5A (Tc) 4.5A
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V 20V 20V 20V
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®

SIA912DJ-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SIA912DJ-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SIA912DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
PCN- SIL-0722014 10/Jun/2014.pdf
Datenblätter
SIA912DJ.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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