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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSIHB24N65EFT1-GE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SIHB24N65EFT1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SIHB24N65EFT1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SIHB24N65EFT1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N-CHANNEL 650V
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
SIHB24N65EF.pdf
vorrätig: 7956

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Spezifikation

SIHB24N65EFT1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SIHB24N65EFT1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SIHB24N65EFT1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D²Pak)  
Serie E  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 156mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 250W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2774 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 122 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SIHB24N65EFT1-GE3.

Produkteigenschaften SIHB24N65EFT1-GE3 SIHB24N65ET1-GE3 SIHB22N60E-GE3 SIHB16N50C-E3
Artikelnummer SIHB24N65EFT1-GE3 SIHB24N65ET1-GE3 SIHB22N60E-GE3 SIHB16N50C-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 122 nC @ 10 V 122 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 650 V 600 V 500 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc) 24A (Tc) 21A (Tc) 16A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D²Pak) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Verlustleistung (max) 250W (Tc) 250W (Tc) 227W (Tc) 250W (Tc)
Serie E E - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2774 pF @ 100 V 2740 pF @ 100 V 1920 pF @ 100 V 1900 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 156mOhm @ 12A, 10V 145mOhm @ 12A, 10V 180mOhm @ 11A, 10V 380mOhm @ 8A, 10V

SIHB24N65EFT1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SIHB24N65EFT1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SIHB24N65EFT1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
SIHB24N65EF.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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