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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSIHD7N60E-GE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SIHD7N60E-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SIHD7N60E-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SIHD7N60E-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
SIHD7N60E.pdf
RoHS Status
vorrätig: 48120

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Spezifikation

SIHD7N60E-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SIHD7N60E-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SIHD7N60E-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 78W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc)  
Grundproduktnummer SIHD7  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SIHD7N60E-GE3.

Produkteigenschaften SIHD7N60E-GE3 SIHF12N60E-GE3 SIHD9N60E-GE3 SIHF065N60E-GE3
Artikelnummer SIHD7N60E-GE3 SIHF12N60E-GE3 SIHD9N60E-GE3 SIHF065N60E-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc) 12A (Tc) 9A (Tc) 40A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D-Pak TO-220 Full Pack TO-252AA TO-220 Full Pack
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V 380mOhm @ 6A, 10V 368mOhm @ 4.5A, 10V 65mOhm @ 16A, 10V
Verlustleistung (max) 78W (Tc) 33W (Tc) 78W (Tc) 39W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie - E E E
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3 Full Pack TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3 Full Pack
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tube Bulk
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 100 V 937 pF @ 100 V 778 pF @ 100 V 2700 pF @ 100 V
Grundproduktnummer SIHD7 SIHF12 SIHD9 SIHF065

SIHD7N60E-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SIHD7N60E-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SIHD7N60E-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014.pdf
Datenblätter
SIHD7N60E.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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