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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSIHF22N60E-GE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SIHF22N60E-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SIHF22N60E-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SIHF22N60E-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
SIHF22N60E.pdf
RoHS Status
vorrätig: 24912

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Anzahl

Spezifikation

SIHF22N60E-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SIHF22N60E-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SIHF22N60E-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220 Full Pack  
Serie E  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 11A, 10V  
Verlustleistung (max) 35W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1920 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Tc)  
Grundproduktnummer SIHF22  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SIHF22N60E-GE3.

Produkteigenschaften SIHF22N60E-GE3 SIHF15N60E-GE3 SIHF28N60EF-GE3 SIHF22N60E-E3
Artikelnummer SIHF22N60E-GE3 SIHF15N60E-GE3 SIHF28N60EF-GE3 SIHF22N60E-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Tc) 15A (Tc) 28A (Tc) 21A (Tc)
Verlustleistung (max) 35W (Tc) 34W (Tc) 39W (Tc) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Serie E E - -
Supplier Device-Gehäuse TO-220 Full Pack TO-220 Full Pack TO-220 Full Pack TO-220 Full Pack
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1920 pF @ 100 V 1350 pF @ 100 V 2714 pF @ 100 V 1920 pF @ 100 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Grundproduktnummer SIHF22 SIHF15 SIHF28 SIHF22
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Paket Tube Tube Tube Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 11A, 10V 280mOhm @ 8A, 10V 123mOhm @ 14A, 10V 180mOhm @ 11A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V

SIHF22N60E-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SIHF22N60E-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SIHF22N60E-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Advisory 20/Mar/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices 18/Jul/2017.pdf
Datenblätter
SIHF22N60E.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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