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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSIHP22N60S-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SIHP22N60S-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SIHP22N60S-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SIHP22N60S-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
SIHP22N60S.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4030

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Anzahl

Spezifikation

SIHP22N60S-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SIHP22N60S-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SIHP22N60S-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 11A, 10V  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2810 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc)  
Grundproduktnummer SIHP22  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SIHP22N60S-E3.

Produkteigenschaften SIHP22N60S-E3 SIHP22N60E-E3 SIHP24N65E-GE3 SIHP22N60AEL-GE3
Artikelnummer SIHP22N60S-E3 SIHP22N60E-E3 SIHP24N65E-GE3 SIHP22N60AEL-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 11A, 10V 180mOhm @ 11A, 10V 145mOhm @ 12A, 10V 180mOhm @ 11A, 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Serie - - - EL
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc) 21A (Tc) 24A (Tc) 21A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 122 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V
Grundproduktnummer SIHP22 SIHP22 SIHP24 SIHP22
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 650 V 600 V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2810 pF @ 25 V 1920 pF @ 100 V 2740 pF @ 100 V 1757 pF @ 100 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA

SIHP22N60S-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SIHP22N60S-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SIHP22N60S-E3 - Vishay Siliconix herunter.

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Datenblätter
SIHP22N60S.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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