Spezifikation
SISS66DN-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SISS66DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SISS66DN-T1-GE3
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
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| Hersteller |
Vishay / Siliconix |
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| VGS (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 250µA |
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| Vgs (Max) |
+20V, -16V |
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| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Supplier Device-Gehäuse |
PowerPAK® 1212-8S |
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| Serie |
TrenchFET® Gen IV |
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| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
1.38mOhm @ 20A, 10V |
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| Verlustleistung (max) |
5.1W (Ta), 65.8W (Tc) |
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| Verpackung / Gehäuse |
PowerPAK® 1212-8S |
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| Paket |
Tape & Reel (TR) |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Befestigungsart |
Surface Mount |
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| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
3327 pF @ 15 V |
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| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
85.5 nC @ 10 V |
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| Typ FET |
N-Channel |
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| FET-Merkmal |
Schottky Diode (Body) |
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| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) |
4.5V, 10V |
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| Drain-Source-Spannung (Vdss) |
30 V |
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| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C |
49.1A (Ta), 178.3A (Tc) |
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| Grundproduktnummer |
SISS66 |
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Lieferung
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
- Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
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SISS23DN-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / Vishay