Spezifikation
SIZ998BDT-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SIZ998BDT-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SIZ998BDT-T1-GE3
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
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| Hersteller |
Vishay / Siliconix |
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| VGS (th) (Max) @ Id |
2.2V @ 250µA |
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| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Supplier Device-Gehäuse |
8-PowerPair® (6x5) |
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| Serie |
TrenchFET® Gen IV |
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| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V |
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| Leistung - max |
3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc) |
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| Verpackung / Gehäuse |
8-PowerWDFN |
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| Paket |
Tape & Reel (TR) |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Befestigungsart |
Surface Mount |
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| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
790pF @ 15V, 2130pF @ 15V |
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| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V |
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| FET-Merkmal |
- |
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| Drain-Source-Spannung (Vdss) |
30V |
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| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C |
23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc) |
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| Konfiguration |
2 N-Channel (Dual), Schottky |
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| Grundproduktnummer |
SIZ998 |
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Lieferung
Lieferzeit
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
- Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
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SIZ900DT-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / Vishay