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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSQ2319ES-T1-GE3
SQ2319ES-T1-GE3 Image
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SQ2319ES-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SQ2319ES-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SQ2319ES-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
SQ2319ES.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3730

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Anzahl

Spezifikation

SQ2319ES-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SQ2319ES-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SQ2319ES-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 3A, 10V  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.6A (Tc)  
Grundproduktnummer SQ2319  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SQ2319ES-T1-GE3.

Produkteigenschaften SQ2319ES-T1-GE3 SQ2318AES-T1_BE3 SQ2351ES-T1_GE3 SQ2318AES-T1_GE3
Artikelnummer SQ2319ES-T1-GE3 SQ2318AES-T1_BE3 SQ2351ES-T1_GE3 SQ2318AES-T1_GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 3A, 10V 31mOhm @ 7.9A, 10V 115mOhm @ 2.4A, 4.5V 31mOhm @ 7.9A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 25 V 553 pF @ 20 V 330 pF @ 10 V 555 pF @ 10 V
Paket Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 5.5 nC @ 4.5 V 13 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.6A (Tc) 8A (Tc) 3.2A (Tc) 8A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236)
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 20 V 40 V
Grundproduktnummer SQ2319 SQ2318 SQ2351 SQ2318
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Serie - Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

SQ2319ES-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SQ2319ES-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SQ2319ES-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
SQ2319ES.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-0392014 Rev2 22/Sep/2014.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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