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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSQ3418EEV-T1-GE3
SQ3418EEV-T1-GE3 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SQ3418EEV-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SQ3418EEV-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SQ3418EEV-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
SQ3418EEV-T1-GE3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4100

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Anzahl

Spezifikation

SQ3418EEV-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SQ3418EEV-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SQ3418EEV-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-TSOP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 5A, 10V  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 660 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc)  
Grundproduktnummer SQ3418  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SQ3418EEV-T1-GE3.

Produkteigenschaften SQ3418EEV-T1-GE3 SQ3418AEEV-T1_GE3 SQ3426AEEV-T1_GE3 SQ3419EEV-T1-GE3
Artikelnummer SQ3418EEV-T1-GE3 SQ3418AEEV-T1_GE3 SQ3426AEEV-T1_GE3 SQ3419EEV-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 660 pF @ 25 V 528 pF @ 25 V 700 pF @ 30 V 1065 pF @ 20 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 60 V 40 V
FET-Merkmal - - - -
Paket Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V 3.5 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 15 nC @ 4.5 V
Grundproduktnummer SQ3418 SQ3418 SQ3426 SQ3419
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 5A, 10V 35mOhm @ 6A, 10V 42mOhm @ 5A, 10V 50mOhm @ 2.5A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc) 8A 7A (Tc) 7.4A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Serie - TrenchFET® Automotive, AEC-Q101 TrenchFET®

SQ3418EEV-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SQ3418EEV-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SQ3418EEV-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-081-2014-Rev-1 22/Sep/2014.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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