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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSQD90P04-9M4L_GE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SQD90P04-9M4L_GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SQD90P04-9M4L_GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SQD90P04-9M4L_GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
SQD90P04-9M4L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 22293

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Spezifikation

SQD90P04-9M4L_GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SQD90P04-9M4L_GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SQD90P04-9M4L_GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 17A, 10V  
Verlustleistung (max) 136W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6675 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc)  
Grundproduktnummer SQD90  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SQD90P04-9M4L_GE3.

Produkteigenschaften SQD90P04-9M4L_GE3 SQD50P08-28_GE3 SQD50P08-25L_GE3 SQD70140EL_GE3
Artikelnummer SQD90P04-9M4L_GE3 SQD50P08-28_GE3 SQD50P08-25L_GE3 SQD70140EL_GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Verlustleistung (max) 136W (Tc) 136W (Tc) 136W (Tc) 71W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 80 V 80 V 100 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Grundproduktnummer SQD90 SQD50 SQD50 SQD70140
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc) 48A (Tc) 50A (Tc) 30A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 17A, 10V 28mOhm @ 12.5A, 10V 25mOhm @ 10.5A, 10V 15mOhm @ 30A, 10V
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V 145 nC @ 10 V 137 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6675 pF @ 20 V 6035 pF @ 25 V 5350 pF @ 25 V 2100 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

SQD90P04-9M4L_GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SQD90P04-9M4L_GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SQD90P04-9M4L_GE3 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
SQD90P04-9M4L.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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