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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSQJ459EP-T2_BE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SQJ459EP-T2_BE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SQJ459EP-T2_BE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SQJ459EP-T2_BE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® SO-8
Datenblatt
SQJ459EP.pdf
vorrätig: 63170

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Anzahl

Spezifikation

SQJ459EP-T2_BE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SQJ459EP-T2_BE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SQJ459EP-T2_BE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 3.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 83W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4586 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 108 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 52A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SQJ459EP-T2_BE3.

Produkteigenschaften SQJ459EP-T2_BE3 SQJ420EP-T1_GE3 SQJ460AEP-T1_GE3 SQJ459EP-T1_GE3
Artikelnummer SQJ459EP-T2_BE3 SQJ420EP-T1_GE3 SQJ460AEP-T1_GE3 SQJ459EP-T1_GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 108 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 106 nC @ 10 V 108 nC @ 10 V
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4586 pF @ 30 V 1860 pF @ 25 V 4795 pF @ 25 V 4586 pF @ 30 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 52A (Tc) 30A (Tc) 32A (Tc) 52A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 40 V 60 V 60 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 3.5A, 10V 10mOhm @ 9.7A, 10V 9.6mOhm @ 18A, 10V 18mOhm @ 3.5A, 10V
Verlustleistung (max) 83W (Tc) 45W (Tc) 83W (Tc) 83W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V

SQJ459EP-T2_BE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SQJ459EP-T2_BE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SQJ459EP-T2_BE3 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
SQJ459EP.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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