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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSQJ560EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SQJ560EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SQJ560EP-T1_GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SQJ560EP-T1_GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® SO-8 Dual
Datenblatt
SQJ560EP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 58250

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Anzahl

Spezifikation

SQJ560EP-T1_GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SQJ560EP-T1_GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SQJ560EP-T1_GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V  
Leistung - max 34W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1650pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V, 45nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc), 18A (Tc)  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer SQJ560  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SQJ560EP-T1_GE3.

Produkteigenschaften SQJ560EP-T1_GE3 SQJ500AEP-T1_GE3 SQJ570EP-T1_GE3 SQJ488EP-T1-GE3
Artikelnummer SQJ560EP-T1_GE3 SQJ500AEP-T1_GE3 SQJ570EP-T1_GE3 SQJ488EP-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Electro-Films (EFI) / Vishay
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 40V 100V -
Leistung - max 34W (Tc) 48W 27W -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V 27mOhm @ 6A, 10V 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V -
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc), 18A (Tc) 30A (Tc) 15A (Tc), 9.5A (Tc) -
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual -
Grundproduktnummer SQJ560 SQJ500 SQJ570 -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1650pF @ 25V 1850pF @ 20V 650pF @ 25V, 600pF @ 25V -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V, 45nC @ 10V 38.1nC @ 10V 20nC @ 10V, 15nC @ 10V -
Konfiguration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2.5V @ 250µA -
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual -

SQJ560EP-T1_GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SQJ560EP-T1_GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SQJ560EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
SQJ560EP.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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