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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSQJ860EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SQJ860EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SQJ860EP-T1_GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SQJ860EP-T1_GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® SO-8
Datenblatt
SQJ860EP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 87080

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Anzahl

Spezifikation

SQJ860EP-T1_GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SQJ860EP-T1_GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SQJ860EP-T1_GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 48W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc)  
Grundproduktnummer SQJ860  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SQJ860EP-T1_GE3.

Produkteigenschaften SQJ860EP-T1_GE3 SQJ850EP-T1_GE3 SQJ868EP-T1_GE3 SQJ886EP-T1_GE3
Artikelnummer SQJ860EP-T1_GE3 SQJ850EP-T1_GE3 SQJ868EP-T1_GE3 SQJ886EP-T1_GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 25 V 1225 pF @ 30 V 2450 pF @ 20 V 2922 pF @ 20 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc) 24A (Tc) 58A (Tc) 60A (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 60 V 40 V 40 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 10A, 10V 23mOhm @ 10.3A, 10V 7.35mOhm @ 14A, 10V 4.5mOhm @ 15.3A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Verlustleistung (max) 48W (Tc) 45W (Tc) 48W (Tc) 55W (Tc)
Grundproduktnummer SQJ860 SQJ850 SQJ868 SQJ886
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8

SQJ860EP-T1_GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SQJ860EP-T1_GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SQJ860EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
SQJ860EP.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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