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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSQM120N02-1M3L_GE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SQM120N02-1M3L_GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SQM120N02-1M3L_GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SQM120N02-1M3L_GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 120A TO263
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
SQM120N02-1M3L.pdf
vorrätig: 25208

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Spezifikation

SQM120N02-1M3L_GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SQM120N02-1M3L_GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SQM120N02-1M3L_GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D²Pak)  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 40A, 10V  
Verlustleistung (max) 375W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14500 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 290 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc)  
Grundproduktnummer SQM120  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SQM120N02-1M3L_GE3.

Produkteigenschaften SQM120N02-1M3L_GE3 SQM100P10-19L_GE3 SQM120N04-1M9_GE3 SQM10250E_GE3
Artikelnummer SQM120N02-1M3L_GE3 SQM100P10-19L_GE3 SQM120N04-1M9_GE3 SQM10250E_GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 375W (Tc) 375W (Tc) 300W (Tc) 375W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc) 93A (Tc) 120A (Tc) 65A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 290 nC @ 10 V 350 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 40A, 10V 19mOhm @ 30A, 10V 1.9mOhm @ 30A, 10V 30mOhm @ 15A, 10V
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer SQM120 SQM100 SQM120 SQM10250
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 7.5V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14500 pF @ 10 V 14100 pF @ 25 V 8790 pF @ 25 V 4050 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 100 V 40 V 250 V

SQM120N02-1M3L_GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SQM120N02-1M3L_GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SQM120N02-1M3L_GE3 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
SQM120N02-1M3L.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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