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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSQM50020EL_GE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SQM50020EL_GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SQM50020EL_GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SQM50020EL_GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 120A TO263
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
SQM50020EL.pdf
SQM50020EL Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 13087

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Spezifikation

SQM50020EL_GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SQM50020EL_GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SQM50020EL_GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D²Pak)  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 375W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15100 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc)  
Grundproduktnummer SQM50020  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SQM50020EL_GE3.

Produkteigenschaften SQM50020EL_GE3 SQM40P10-40L_GE3 SQM50034EL_GE3 SQM50P06-15L-GE3
Artikelnummer SQM50020EL_GE3 SQM40P10-40L_GE3 SQM50034EL_GE3 SQM50P06-15L-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Electro-Films (EFI) / Vishay
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Verlustleistung (max) 375W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 30A, 10V 40mOhm @ 17A, 10V 3.9mOhm @ 20A, 10V -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Grundproduktnummer SQM50020 SQM40 SQM50034 -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V 134 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 100 V 60 V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc) 40A (Tc) 100A (Tc) -
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15100 pF @ 25 V 5295 pF @ 25 V 6100 pF @ 25 V -

SQM50020EL_GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SQM50020EL_GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SQM50020EL_GE3 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
SQM50020EL.pdf SQM50020EL Datasheet.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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