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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSQS401EN-T1_BE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SQS401EN-T1_BE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SQS401EN-T1_BE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SQS401EN-T1_BE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® 1212-8
Datenblatt
SQS401EN.pdf
vorrätig: 66690

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Spezifikation

SQS401EN-T1_BE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SQS401EN-T1_BE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SQS401EN-T1_BE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® 1212-8  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 62.5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® 1212-8  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1875 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.2 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Tc)  
Grundproduktnummer SQS401  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SQS401EN-T1_BE3.

Produkteigenschaften SQS401EN-T1_BE3 SQS415ENW-T1_GE3 SQS460EN-T1_BE3 SQS411ENW-T1_GE3
Artikelnummer SQS401EN-T1_BE3 SQS415ENW-T1_GE3 SQS460EN-T1_BE3 SQS411ENW-T1_GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 12A, 10V 16.1mOhm @ 12A, 10V 36mOhm @ 5.3A, 10V 27.3mOhm @ 8A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 60 V 40 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.2 nC @ 4.5 V 82 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1875 pF @ 20 V 4825 pF @ 25 V 755 pF @ 25 V 3191 pF @ 25 V
Grundproduktnummer SQS401 SQS415 SQS460 SQS411
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Tc) 16A (Tc) 8A (Tc) 16A (Tc)
Verlustleistung (max) 62.5W (Tc) 62.5W (Tc) 39W (Tc) 39.5W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8W PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8W
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8W PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8W

SQS401EN-T1_BE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SQS401EN-T1_BE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SQS401EN-T1_BE3 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
SQS401EN.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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