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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSUD19P06-60-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SUD19P06-60-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SUD19P06-60-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SUD19P06-60-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
SUD19P06-60-E3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 76760

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Anzahl

Spezifikation

SUD19P06-60-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SUD19P06-60-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SUD19P06-60-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1710 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18.3A (Tc)  
Grundproduktnummer SUD19  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SUD19P06-60-E3.

Produkteigenschaften SUD19P06-60-E3 SUD19N20-90-E3 SUD19P06-60L-E3 SUD19P06-60-GE3
Artikelnummer SUD19P06-60-E3 SUD19N20-90-E3 SUD19P06-60L-E3 SUD19P06-60-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 51 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 2.3W (Ta), 38.5W (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) 2.7W (Ta), 46W (Tc) 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 200 V 60 V 60 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1710 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 1710 pF @ 25 V 1710 pF @ 25 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 10A, 10V 90mOhm @ 5A, 10V 60mOhm @ 10A, 10V 60mOhm @ 10A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18.3A (Tc) 19A (Tc) 19A (Tc) 18.3A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Grundproduktnummer SUD19 SUD19 SUD19 SUD19

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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