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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSUD40N04-10A-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SUD40N04-10A-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SUD40N04-10A-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SUD40N04-10A-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 40A TO252
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
SUD40N04-10A.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3960

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Anzahl

Spezifikation

SUD40N04-10A-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SUD40N04-10A-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SUD40N04-10A-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 40A, 10V  
Verlustleistung (max) 71W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc)  
Grundproduktnummer SUD40  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SUD40N04-10A-E3.

Produkteigenschaften SUD40N04-10A-E3 SUD35N10-26P-GE3 SUD40N02-08-E3 SUD40N08-16-E3
Artikelnummer SUD40N04-10A-E3 SUD35N10-26P-GE3 SUD40N02-08-E3 SUD40N08-16-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Serie - TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 4.4V @ 250µA 600mV @ 250µA (Min) 4V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V 2000 pF @ 12 V 2660 pF @ 20 V 1960 pF @ 25 V
Grundproduktnummer SUD40 SUD35 SUD40 SUD40
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 71W (Tc) 8.3W (Ta), 83W (Tc) 8.3W (Ta), 71W (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 40A, 10V 26mOhm @ 12A, 10V 8.5mOhm @ 20A, 4.5V 16mOhm @ 40A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±12V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 100 V 20 V 80 V
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc) 35A (Tc) 40A (Tc) 40A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 7V, 10V 2.5V, 4.5V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 47 nC @ 10 V 35 nC @ 4.5 V 60 nC @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

SUD40N04-10A-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SUD40N04-10A-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SUD40N04-10A-E3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-0632014 16/Apr/2014.pdf
Datenblätter
SUD40N04-10A.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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