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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSUD45P03-15-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SUD45P03-15-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SUD45P03-15-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SUD45P03-15-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V TO252
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
SUD45P03-15.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5130

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Anzahl

Spezifikation

SUD45P03-15-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SUD45P03-15-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SUD45P03-15-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 13A, 10V  
Verlustleistung (max) 4W (Ta), 70W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Ta)  
Grundproduktnummer SUD45  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SUD45P03-15-E3.

Produkteigenschaften SUD45P03-15-E3 SUD45P03-10-E3 SUD45P03-09-GE3 SUD50N02-04P-E3
Artikelnummer SUD45P03-15-E3 SUD45P03-10-E3 SUD45P03-09-GE3 SUD50N02-04P-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 20 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Grundproduktnummer SUD45 SUD45 SUD45 SUD50
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 60 nC @ 4.5 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3200 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V 2700 pF @ 15 V 5000 pF @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Verlustleistung (max) 4W (Ta), 70W (Tc) 4W (Ta), 70W (Tc) 2.1W (Ta), 41.7W (Tc) 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 13A, 10V 10mOhm @ 15A, 10V 8.7mOhm @ 20A, 10V 4.3mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Ta) 15A (Ta) 45A (Tc) 50A (Tc)

SUD45P03-15-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SUD45P03-15-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SUD45P03-15-E3 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
SUD45P03-15.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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