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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSUD70090E-GE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SUD70090E-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SUD70090E-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SUD70090E-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 50A TO252
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
SUD70090E.pdf
RoHS Status
vorrätig: 42870

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Anzahl

Spezifikation

SUD70090E-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SUD70090E-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SUD70090E-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie ThunderFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.9mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1950 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)  
Grundproduktnummer SUD70090  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SUD70090E-GE3.

Produkteigenschaften SUD70090E-GE3 SUD50P10-43L-BE3 SUD80460E-BE3 SUD50P08-25L-E3
Artikelnummer SUD70090E-GE3 SUD50P10-43L-BE3 SUD80460E-BE3 SUD50P08-25L-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.9mOhm @ 20A, 10V 43mOhm @ 9.2A, 10V 44.7mOhm @ 8.3A, 10V 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie ThunderFET® TrenchFET® ThunderFET® TrenchFET®
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Verlustleistung (max) 125W (Tc) 8.3W (Ta), 136W (Tc) 65.2W (Tc) 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) 9.2A (Ta), 37.1A (Tc) 42A (Tc) 50A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 150 V 80 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Grundproduktnummer SUD70090 SUD50 SUD80460 SUD50
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1950 pF @ 50 V 4600 pF @ 50 V 560 pF @ 50 V 4700 pF @ 40 V
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V

SUD70090E-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SUD70090E-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SUD70090E-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
SUD70090E.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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