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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSUM110N05-06L-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SUM110N05-06L-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SUM110N05-06L-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SUM110N05-06L-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
SUM110N05-06L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3780

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Spezifikation

SUM110N05-06L-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SUM110N05-06L-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SUM110N05-06L-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D²Pak)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 30A, 10V  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 110A (Tc)  
Grundproduktnummer SUM110  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SUM110N05-06L-E3.

Produkteigenschaften SUM110N05-06L-E3 SUM110N04-03P-E3 SUM110N06-3M4L-E3 SUM110N06-3M9H-E3
Artikelnummer SUM110N05-06L-E3 SUM110N04-03P-E3 SUM110N06-3M4L-E3 SUM110N06-3M9H-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 30A, 10V 3.1mOhm @ 30A, 10V 3.4mOhm @ 30A, 10V 3.9mOhm @ 30A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 40 V 60 V 60 V
Grundproduktnummer SUM110 SUM110 SUM110 SUM110
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 110A (Tc) 110A (Tc) 110A (Tc) 110A (Tc)
Serie - TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 25 V 6500 pF @ 25 V 12900 pF @ 25 V 15800 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak)

SUM110N05-06L-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SUM110N05-06L-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SUM110N05-06L-E3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Obs 29/Dec/2015.pdf
Datenblätter
SUM110N05-06L.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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