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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSUM55P06-19L-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SUM55P06-19L-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SUM55P06-19L-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SUM55P06-19L-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 55A TO263
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
SUM55P06-19L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 13780

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Spezifikation

SUM55P06-19L-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SUM55P06-19L-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SUM55P06-19L-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D²Pak)  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.75W (Ta), 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 55A (Tc)  
Grundproduktnummer SUM55  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SUM55P06-19L-E3.

Produkteigenschaften SUM55P06-19L-E3 SUM45N25-58-E3 SUM50P10-42-E3 SUM52N20-39P-E3
Artikelnummer SUM55P06-19L-E3 SUM45N25-58-E3 SUM50P10-42-E3 SUM52N20-39P-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Grundproduktnummer SUM55 SUM45 SUM50 SUM52
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±25V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 250 V 100 V 200 V
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 55A (Tc) 45A (Tc) 36A (Tc) 52A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 185 nC @ 15 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 30A, 10V 58mOhm @ 20A, 10V 4.2mOhm @ 14A, 10V 38mOhm @ 20A, 15V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V 10V, 15V
Verlustleistung (max) 3.75W (Ta), 125W (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) 18.8W (Ta), 125W (Tc) 3.12W (Ta), 250W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V 5000 pF @ 25 V 4600 pF @ 50 V 4220 pF @ 25 V

SUM55P06-19L-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SUM55P06-19L-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SUM55P06-19L-E3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Site Add 9/Jun/2016.pdf
Datenblätter
SUM55P06-19L.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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