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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSUM70040E-GE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SUM70040E-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SUM70040E-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SUM70040E-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
SUM70040E.pdf
RoHS Status
vorrätig: 21350

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Anzahl

Spezifikation

SUM70040E-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SUM70040E-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SUM70040E-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D²Pak)  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 375W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5100 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc)  
Grundproduktnummer SUM70040  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SUM70040E-GE3.

Produkteigenschaften SUM70040E-GE3 SUM70101EL-GE3 SUM70090E-GE3 SUM70N03-09CP-E3
Artikelnummer SUM70040E-GE3 SUM70101EL-GE3 SUM70090E-GE3 SUM70N03-09CP-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc) 120A (Tc) 50A (Tc) 70A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V 4.5V, 10V 7.5V, 10V 4.5V, 10V
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 30 V
Grundproduktnummer SUM70040 SUM70101 SUM70090 SUM70
Serie TrenchFET® TrenchFET® ThunderFET® TrenchFET®
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 375W (Tc) 375W (Tc) 125W (Tc) 3.75W (Ta), 93W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5100 pF @ 50 V 7000 pF @ 50 V 1950 pF @ 50 V 2200 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 20A, 10V 10.1mOhm @ 30A, 10V 8.9mOhm @ 20A, 10V 9.5mOhm @ 20A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA

SUM70040E-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SUM70040E-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SUM70040E-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Site Add 9/Jun/2016.pdf
Datenblätter
SUM70040E.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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