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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSUP18N15-95-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SUP18N15-95-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SUP18N15-95-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SUP18N15-95-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 18A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
SUP18N15-95.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4460

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Anzahl

Spezifikation

SUP18N15-95-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SUP18N15-95-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SUP18N15-95-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 88W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc)  
Grundproduktnummer SUP18  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SUP18N15-95-E3.

Produkteigenschaften SUP18N15-95-E3 SUP25P10-138-GE3 SUP28N15-52-E3 SUP18N15
Artikelnummer SUP18N15-95-E3 SUP25P10-138-GE3 SUP28N15-52-E3 SUP18N15
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA (Min) 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc) 16.3A (Tc) 28A (Tc) -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 -
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® -
Grundproduktnummer SUP18 SUP25 SUP28 -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 15A, 10V 13.8mOhm @ 6A, 10V 52mOhm @ 5A, 10V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-220AB TO-220AB -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole -
Verlustleistung (max) 88W (Tc) 3.1W (Ta), 73.5W (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) -
Paket Tube Tube Tube -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 100 V 150 V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V 2100 pF @ 50 V 1725 pF @ 25 V -

SUP18N15-95-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SUP18N15-95-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SUP18N15-95-E3 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
SUP18N15-95.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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