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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSUP40N10-30-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SUP40N10-30-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SUP40N10-30-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SUP40N10-30-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
SUP40N10-30.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4420

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Anzahl

Spezifikation

SUP40N10-30-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SUP40N10-30-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SUP40N10-30-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.75W (Ta), 107W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc)  
Grundproduktnummer SUP40  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SUP40N10-30-E3.

Produkteigenschaften SUP40N10-30-E3 SUP40P10-43-GE3 SUP50020EL-GE3 SUP28N15-52-E3
Artikelnummer SUP40N10-30-E3 SUP40P10-43-GE3 SUP50020EL-GE3 SUP28N15-52-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 126 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Grundproduktnummer SUP40 SUP40 SUP50020 SUP28
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 15A, 10V 43mOhm @ 10A, 10V 2.3mOhm @ 30A, 10V 52mOhm @ 5A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V
Paket Tube Tube Bulk Tube
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Verlustleistung (max) 3.75W (Ta), 107W (Tc) 2W (Ta), 125W (Tc) 375W (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc) 36A (Tc) 120A (Tc) 28A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 60 V 150 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 25 V 4600 pF @ 50 V 11113 pF @ 30 V 1725 pF @ 25 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

SUP40N10-30-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SUP40N10-30-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SUP40N10-30-E3 - Vishay Siliconix herunter.

Andere verwandte Dokumente
Packaging Information.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013.pdf
Datenblätter
SUP40N10-30.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
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Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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