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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSUP90140E-GE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SUP90140E-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SUP90140E-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SUP90140E-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
SUP90140E.pdf
RoHS Status
vorrätig: 29588

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Anzahl

Spezifikation

SUP90140E-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SUP90140E-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SUP90140E-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie ThunderFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 375W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4132 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 96 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc)  
Grundproduktnummer SUP90140  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SUP90140E-GE3.

Produkteigenschaften SUP90140E-GE3 SUP90N04-3M3P-GE3 SUP85N10-10P-GE3 SUP85N10-10-E3
Artikelnummer SUP90140E-GE3 SUP90N04-3M3P-GE3 SUP85N10-10P-GE3 SUP85N10-10-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 3V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4132 pF @ 100 V 5286 pF @ 20 V 4660 pF @ 50 V 6550 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 40 V 100 V 100 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 30A, 10V 3.3mOhm @ 22A, 10V 10mOhm @ 20A, 10V 10.5mOhm @ 30A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc) 90A (Tc) 85A (Tc) 85A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Verlustleistung (max) 375W (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 3.75W (Ta), 227W (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Paket Tube Bulk Tube Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 96 nC @ 10 V 131 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V
Grundproduktnummer SUP90140 SUP90 SUP85 SUP85
FET-Merkmal - - - -
Serie ThunderFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

SUP90140E-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SUP90140E-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SUP90140E-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
SUP90140E.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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