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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTP0610K-T1-GE3
TP0610K-T1-GE3 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

TP0610K-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
TP0610K-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-TP0610K-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
TP0610K.pdf
RoHS Status
vorrätig: 244610

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Anzahl

Spezifikation

TP0610K-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - TP0610K-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - TP0610K-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 350mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 23 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.7 nC @ 15 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 185mA (Ta)  
Grundproduktnummer TP0610  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix TP0610K-T1-GE3.

Produkteigenschaften TP0610K-T1-GE3 TP0606N3-G TP0610T-G TP0610K-T1
Artikelnummer TP0610K-T1-GE3 TP0606N3-G TP0610T-G TP0610K-T1
Hersteller Vishay Siliconix Microchip Technology Microchip Technology Vishay Siliconix
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 23 pF @ 25 V 150 pF @ 25 V 60 pF @ 25 V 23 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie TrenchFET® - - TrenchFET®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 500mA, 10V 3.5Ohm @ 750mA, 10V 10Ohm @ 200mA, 10V 6Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) TO-92-3 TO-236AB (SOT23) SOT-23-3 (TO-236)
Verlustleistung (max) 350mW (Ta) 1W (Tc) 360mW (Ta) 350mW (Ta)
Paket Tape & Reel (TR) Bag Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.7 nC @ 15 V - - 1.7 nC @ 15 V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 185mA (Ta) 320mA (Tj) 120mA (Tj) 185mA (Ta)
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer TP0610 TP0606 TP0610 TP0610
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.4V @ 1mA 2.4V @ 1mA 3V @ 250µA

TP0610K-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie TP0610K-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für TP0610K-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

Umweltinformationen
Material Compliance.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Factory Status 30/Oct/2020.pdf
Datenblätter
TP0610K.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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TP0610K-T1-GE3

Vishay Siliconix
32D-TP0610K-T1-GE3

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