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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysVQ2001P
Vishay Siliconix
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VQ2001P - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
VQ2001P
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-VQ2001P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
-
Datenblatt
VP0300L(S), VQ2001.pdf
vorrätig: 5220

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Anzahl

Spezifikation

VQ2001P Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - VQ2001P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - VQ2001P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse -  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 1A, 12V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse -  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 600mA  
Konfiguration 4 P-Channel  
Grundproduktnummer VQ2001  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix VQ2001P.

Produkteigenschaften VQ2001P SI6943BDQ-T1-GE3 FDR8508P NTGD3149CT1G
Artikelnummer VQ2001P SI6943BDQ-T1-GE3 FDR8508P NTGD3149CT1G
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix onsemi onsemi
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - TrenchFET® PowerTrench® -
FET-Merkmal - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA 800mV @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 15V - 750pF @ 15V 387pF @ 10V
Konfiguration 4 P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 10nC @ 4.5V 12nC @ 5V 5.5nC @ 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 12V 30V 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 1A, 12V 80mOhm @ 2.5A, 4.5V 52mOhm @ 3A, 10V 60mOhm @ 3.5A, 4.5V
Leistung - max 2W 800mW 800mW 900mW
Supplier Device-Gehäuse - 8-TSSOP SuperSOT™-8 6-TSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 600mA 2.3A 3A 3.2A, 2.4A
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer VQ2001 SI6943 FDR85 NTGD31
Verpackung / Gehäuse - 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

VQ2001P Datenblatt PDF

Laden Sie VQ2001P PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für VQ2001P - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Device OBS Update 15/May/2017.pdf
Datenblätter
VP0300L(S), VQ2001.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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