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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelBUJ100,412
BUJ100,412 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BUJ100,412 - WeEn Semiconductors

Hersteller Artikelnummer
BUJ100,412
Hersteller
WeEn Semiconductors Co., Ltd
Allelco Artikelnummer
32D-BUJ100,412
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 400V 1A TO92-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Datenblatt
BUJ100.pdf
RoHS Status
RoHS-konform
vorrätig: 399340

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Anzahl

Spezifikation

BUJ100,412 Tech -Spezifikationen
WeEn Semiconductors - BUJ100,412 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie WeEn Semiconductors - BUJ100,412

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller WeEn Semiconductors Co., Ltd  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 400 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 150mA, 750mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3  
Serie -  
Leistung - max 2 W  
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 9 @ 750mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1 A  
Grundproduktnummer BUJ100  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie WeEn Semiconductors BUJ100,412.

Produkteigenschaften BUJ100,412 BUJ103AD,118 BUJ100+412 BUJ100LR
Artikelnummer BUJ100,412 BUJ103AD,118 BUJ100+412 BUJ100LR
Hersteller WeEn Semiconductors WeEn Semiconductors Freescale / NXP Semiconductors Freescale / NXP Semiconductors
Paket Bulk Tape & Reel (TR) - -
Frequenz - Übergang - - - -
Grundproduktnummer BUJ100 BUJ103 - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA 100µA - -
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3 DPAK - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 400 V 400 V - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 150mA, 750mA 1V @ 600mA, 3A - -
Leistung - max 2 W 80 W - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 9 @ 750mA, 5V 13 @ 500mA, 5V - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1 A 4 A - -
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -
Transistor-Typ NPN NPN - -
Befestigungsart Through Hole Surface Mount - -

BUJ100,412 Datenblatt PDF

Laden Sie BUJ100,412 PDF -Datenblätter und WeEn Semiconductors -Dokumentation für BUJ100,412 - WeEn Semiconductors herunter.

PCN -Verpackung
All Device Label Chg 14/Feb/2020.pdf
PCN Andere
Joint Venture Revision 07/Aug/2015.pdf
PCN -Teilstatusänderung
Part Status Conversion 22/Nov/2015.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Chg 11/Mar/2021.pdf
Datenblätter
BUJ100.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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