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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-EinzelNXPSC10650Q
WeEn Semiconductors
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NXPSC10650Q - WeEn Semiconductors

Hersteller Artikelnummer
NXPSC10650Q
Hersteller
WeEn Semiconductors Co., Ltd
Allelco Artikelnummer
32D-NXPSC10650Q
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-2
Datenblatt
NXPSC10650.pdf
vorrätig: 10731

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Spezifikation

NXPSC10650Q Tech -Spezifikationen
WeEn Semiconductors - NXPSC10650Q Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie WeEn Semiconductors - NXPSC10650Q

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller WeEn Semiconductors Co., Ltd  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 10 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 650 V  
Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AC  
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)  
Serie -  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0 ns  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-220-2  
Paket Tube  
Betriebstemperatur - Anschluss 175°C (Max)  
Befestigungsart Through Hole  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 250 µA @ 650 V  
Strom - Richt (Io) 10A  
Kapazität @ Vr, F 300pF @ 1V, 1MHz  
Grundproduktnummer NXPSC  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie WeEn Semiconductors NXPSC10650Q.

Produkteigenschaften NXPSC10650Q NXPSC04650B6J NXPSC08650Q NXPSC04650DJ
Artikelnummer NXPSC10650Q NXPSC04650B6J NXPSC08650Q NXPSC04650DJ
Hersteller WeEn Semiconductors WeEn Semiconductors WeEn Semiconductors WeEn Semiconductors
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 250 µA @ 650 V 170 µA @ 650 V 230 µA @ 650 V 170 µA @ 650 V
Serie - - - -
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io)
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Strom - Richt (Io) 10A 4A 8A 4A
Grundproduktnummer NXPSC NXPSC NXPSC NXPSC
Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky
Verpackung / Gehäuse TO-220-2 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-2 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Kapazität @ Vr, F 300pF @ 1V, 1MHz 130pF @ 1V, 1MHz 260pF @ 1V, 1MHz 130pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device-Gehäuse TO-220AC D2PAK TO-220AC DPAK
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0 ns 0 ns 0 ns 0 ns
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 10 A 1.7 V @ 4 A 1.7 V @ 8 A 1.7 V @ 4 A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 650 V 650 V 650 V 650 V
Betriebstemperatur - Anschluss 175°C (Max) 175°C (Max) 175°C (Max) 175°C (Max)

NXPSC10650Q Datenblatt PDF

Laden Sie NXPSC10650Q PDF -Datenblätter und WeEn Semiconductors -Dokumentation für NXPSC10650Q - WeEn Semiconductors herunter.

PCN -Verpackung
All Device Label Chg 14/Feb/2020.pdf
PCN -Teilstatusänderung
Adv Status Notice 28/Sep/2018.pdf Mult Dev Wafer Status 28/Sep/2018.pdf
Datenblätter
NXPSC10650.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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