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Erforschung von BSS138LT1G -Stromverwaltung für tragbare Geräte

Das BSS138LT1G ist ein kleiner und effizienter N-Kanal-Leistungs-MOSFET, mit dem die Stromversorgung in Geräten mit niedrigen Spannungen verwaltet wird.Sie finden es oft in Geräten wie Computern, Druckern und Handys.Es ist besonders gut darin, mit niedrigen Spannungsstufen zu arbeiten, was es perfekt für tragbare und batteriebetriebene Elektronik macht.Das kompakte Design ermöglicht es ihm, leicht auf Leiterplatten zu passen, sodass es für moderne Geräte, auf denen der Platz eng ist, hervorragend ist.Dieser Artikel führt Sie durch seine Funktionen, Anwendungen und technischen Details und hilft Ihnen, zu verstehen, wie dieses MOSFET für Ihre Projekte nützlich sein kann.

Katalog

1. Überblick über BSS138LT1G

2. BSS138LT1G PIN -Konfiguration

3. BSS138LT1G CAD -Design

4. Schlüsselmerkmale von BSS138LT1G

5. BSS138LT1G -Spezifikationen Übersicht

6. BSS138LT1G Vergleichbare Teile

7. BSS138LT1G -Anwendungen

8. BSS138LT1G -Verpackungsinformationen

9. Über den Hersteller: Über Semiconductor

Überblick über BSS138LT1G

Der BSS138LT1G ist ein N-Kanal-Strom-MOSFET, das für die Leistungsverwaltung in Geräten entwickelt wurde, die auf niedrigen Spannungen angewiesen sind.Es wird häufig in Anwendungen wie DC-to-DC-Konvertern verwendet, die in Computern, Druckern und mobilen Geräten wie Mobiltelefonen und schnurlosen Telefonen gefunden werden.Was diesen MOSFET auszeichnet, ist die Fähigkeit, in niedrigeren Spannungsstufen effizient zu arbeiten, was es zu einer guten Passform für tragbare und batteriebetriebene Geräte macht.Das kompakte SOT-23-Oberflächenmontagepaket ermöglicht es, leicht auf Leiterplatten zu passen, was in räumlich begrenzten Designs hilfreich ist.Dies macht es für moderne Elektronik gut geeignet, bei denen Stromeffizienz und Größe wichtig sind.

BSS138LT1G PIN -Konfiguration

BSS138LT1G Pin Configuration

BSS138LT1G CAD -Design

BSS138LT1G -Symbol

BSS138LT1G Symbol

BSS138LT1G Footprint

BSS138LT1G 3D -Modell

BSS138LT1G 3D Model

Schlüsselmerkmale von BSS138LT1G

Niedrige Schwellenspannung

Der BSS138LT1G arbeitet mit einer niedrigen Schwellenspannung von 0,5 V und 1,5 V.Dies bedeutet, dass es unter Bedingungen mit geringer Leistung eingeschaltet und effizient funktionieren kann, wodurch es zu Geräten geeignet ist, für die nicht viel Energie für den Betrieb erforderlich ist.

Kompaktes SOT-23-Oberflächenmontagepaket

Das kleine SOT-23-Oberflächen-Mount-Paket spart Platz auf der Leiterplatte.Diese kompakte Größe ist hilfreich bei der Gestaltung moderner elektronischer Geräte, auf denen der Platz oft begrenzt ist, und sicherzustellen, dass alles ordentlich passt, ohne zu viel Platz einzubeziehen.

Qualifikation für Kfz-Qualität (AEC-Q101)

Der BSS138LT1G ist AEC-Q101 qualifiziert, was bedeutet, dass er für zuverlässige Verwendung in Automobil- und anderen anspruchsvollen Anwendungen erstellt wurde.Es kann mit schwierigen Umgebungen umgehen, in denen langfristige Haltbarkeit für den reibungslosen Betrieb erforderlich ist.

ROHS und umweltfreundliche Einhaltung

Der BSS138LT1G erfüllt die ROHS -Standards, was die Verwendung bestimmter gefährlicher Materialien einschränkt.Es ist auch PB-frei und halogenfrei, was es zu einer umweltfreundlichen Entscheidung macht und sich mit umweltbewussten Fertigungsbemühungen entspricht.

BSS138LT1G -Spezifikationen Übersicht

Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und vergleichbare Teile im Zusammenhang mit dem Semiconductor BSS138LT1G.

Typ	Parameter
Lebenszyklusstatus	Aktiv (zuletzt aktualisiert: vor 3 Tagen)
Fabrikvorlaufzeit	14 Wochen
Kontaktieren Sie die Beschichtung	Zinn
Montagetyp	Oberflächenhalterung
Paket / Fall	To-236-3, sc-59, SOT-23-3
Oberflächenhalterung	JA
Anzahl der Stifte	3
Transistorelementmaterial	SILIZIUM
Strom - kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ℃	200 mA TA
Antriebsspannung (maximale RDS an, min RDS eins)	5v
Anzahl der Elemente	1
Leistungsdissipation (max)	225mw ta
Verspätungszeit ausschalten	20 ns
Betriebstemperatur	-55 ° C ~ 150 ° C TJ
Verpackung	Klebeband (CT) schneiden
Veröffentlicht	2005
JESD-609 Code	E3
Pbfree Code	Ja
Teilstatus	Aktiv
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)	1 (unbegrenzt)
Anzahl der Terminen	3
ECCN -Code	Ear99
Widerstand	3,5 Ohm
Spannung - DC bewertet	50V
Endposition	DUAL
Terminalform	Möwenflügel
Peak -Reflow -Temperatur (CEL)	260 ° C.
Aktuelle Bewertung	200 mA
Zeit @ Peak Reflowtemperatur (max)	40s
Stiftanzahl	3
Elementkonfiguration	Einzel
Betriebsart	Verbesserungsmodus
Leistungsdissipation	225 mw
Verzögerungszeit einschalten	20 ns
FET -Typ	N-Kanal
Transistoranwendung	Umschalten
Rds on (max) @ id, vgs	3,5 Ω @ 200 mA, 5V
Vgs (th) (max) @ id	1,5 V @ 1ma
Halogenfrei	Halogenfrei
Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	50pf @ 25v
VGS (max)	± 20 V
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID)	200 mA
Schwellenspannung	1,5 V
Gate to Quellspannung (VGS)	20V
Drainstrommax (ABS) (ID)	0,2a
Abtropfen, um die Spannungsspannung der Quelle abzunehmen	50V
Nominal VGS	1,5 V
Feedback Cap-Max (CRSS)	5pf
Höhe	1,01 mm
Länge	3,04 mm
Breite	1,4 mm
SVHC erreichen	Kein SVHC
Strahlungshärtung	NEIN
ROHS -Status	ROHS3 -konform

BSS138LT1G Vergleichbare Teile

Teilenummer	Beschreibung	Hersteller
BSS138L9Z	220 mA, 50 V, N-Kanal, SI, kleines Signal, MOSFET, bis-236AB	Texas Instrumente
BSS138-7-F	Small Signal Field-Effect Transistor, 0,2a (ID), 50 V, 1-Element, N-Kanal, Silizium, Metalloxid-Halbleiter FET, Kunststoffpaket-3	SPC Multicomp
UBSS138ta	Small Signal Field-Effect Transistor, 0,2a (ID), 50 V, 1-Element, N-Kanal, Silizium, Metalloxid-Halbleiter FET, SOT-23, 3 PIN	ZETEX / DIODES INC
BSS138T/R13	Small Signal Field-Effect Transistor, 0,3a (ID), 50 V, 1-Element, N-Kanal, Silizium, Metalloxid-Halbleiter FET, ROHS-konforme Paket-3	Panjit Semiconductor
BSS138NL6327	Small Signal Field-Effect Transistor, 0,23A (ID), 60 V, 1-Element, N-Kanal, Silizium, Metalloxid-Halbleiterfet, ROHS-konform, Kunststoffpaket-3	Infineon Technologies AG
BSS138E6327	Kleiner Signalfeld-Effekt-Transistor, 0,23a (ID), 50 V, 1-Element, N-Kanal, Silizium, Metalloxid-Halbleiter FET, SOT-23, 3 PIN	Infineon Technologies AG
BSS138-TP	Kleine Signalfeld-Effekt-Transistor, 0,22a (ID), 50 V, 1-Element, N-Kanal, Silizium, Metalloxid-Halbleiterfet	Mikro -kommerzielle Komponenten
BSS138NH6433	Small Signal Field-Effect Transistor, 0,23A (ID), 50 V, 1-Element, N-Kanal, Silizium, Metalloxid-Halbleiterfet, Grün, Kunststoffpaket-3	Infineon Technologies AG
BSS138NH6433	Kleiner Signalfeld-Effekt-Transistor, 0,23a (ID), 50 V, 1-Element, N-Kanal, Silizium, Metalloxid-Halbleiter FET, SOT-23, 3 PIN	Infineon Technologies AG
UBSS138	Small Signal Field-Effect Transistor, 0,2a (ID), 50 V, 1-Element, N-Kanal, Silizium, Metalloxid-Halbleiter FET, SOT-23, 3 PIN	Dioden eingebaut

BSS138LT1G Vergleichbare Teile

DC-DC-Konverter

Dieses MOSFET wird häufig in DC-DC-Konvertern verwendet, um Spannungsänderungen in Geräten wie Computern und mobiler Elektronik zu verwalten.Es stellt sicher, dass verschiedene Komponenten die richtigen Spannungsniveaus zur Verfügung gestellt werden, was dem Gerät effizient betrieben wird.

Drucker

Das BSS138LT1G wird in Druckern zur Verwaltung der Stromverteilung verwendet, um sicherzustellen, dass Komponenten die richtige Menge an Strom erhalten und gleichzeitig Energieabfälle und Überhitzung verhindern.Dies hilft, die Drucker im Laufe der Zeit reibungslos laufen zu lassen.

PCMCIA -Karten

In PCMCIA -Karten hilft das BSS138LT1G bei der Steuerung des Stromverbrauchs.Diese Karten werden verwendet, um Laptops und anderen Geräten Funktionen hinzuzufügen, und dieses MOSFET unterstützt ihren effizienten Betrieb und hilft ihnen, effektiv zu arbeiten, ohne zu viel Energie zu nutzen.

Batteriebetriebene Geräte

Das BSS138LT1G ist häufig in Geräten vorhanden, die von Batterien wie Computern, Mobiltelefonen und schnurlosen Telefonen betrieben werden.Es hilft bei der Verwaltung des Stromverbrauchs, um sicherzustellen, dass das Gerät effizient ausgeführt wird und die Akkulaufzeit verlängert und eine längere Nutzung zwischen den Ladungen ermöglicht.

BSS138LT1G -Verpackungsinformationen

BSS138LT1G -Paketumriss

BSS138LT1G Package Outline

BSS138LT1G Mechanische Daten

Düster	Millimeter (min)	Millimeter (NOM)	Millimeter (max)	Zoll (min)	Zoll (nom)	Zoll (max)
A	0,89	1	1.11	0,035	0,039	0,044
A1	0,01	0,06	0,1	0	0,002	0,004
B	0,37	0,44	0,5	0,015	0,017	0,02
C	0,08	0,14	0,2	0,003	0,006	0,008
D	2.8	2.9	3.04	0,11	0,114	0,12
E	1.2	1.3	1.4	0,047	0,051	0,055
E1	2.9	3	3.1	0,114	0,118	0,122
L	1.78	1.9	2.04	0,07	0,075	0,08
L1	0,35	0,54	0,69	0,014	0,021	0,027
ER	2.1	2.4	2.64	0,083	0,094	0,104
T	0 °	------	10 °	0 °	------	10 °

BSS138LT1G empfohlene Lötpootabdruck

BSS138LT1G Recommended Soldering Footprint

Über den Hersteller: Über Semiconductor

Auf Halbleiter ist bekannt für die Entwicklung von Produkten, die Unternehmen helfen, den Energieverbrauch in einer Reihe von Branchen zu reduzieren.Sie bieten Stromverwaltungs- und Signallösungen, die in Bereichen wie Automobil-, Kommunikations-, Unterhaltungselektronik- und LED -Beleuchtung zu finden sind.Auf Semiconductor unterstützt Ingenieure und Designer eine Vielzahl von Produkten, die dazu beitragen, spezifische Designherausforderungen in diesen Bereichen zu lösen.Mit einer Präsenz in wichtigen Märkten weltweit haben sie eine starke Lieferkette und bieten einen zuverlässigen Kundenservice.Ihre Fertigungseinrichtungen und Designzentren sind strategisch gelegen, um sicherzustellen, dass sie die Bedürfnisse der Kunden weltweit erfüllen und gleichzeitig die Innovationen in energiesparenden Technologien vorantreiben.

Datenblatt PDF

BSS138LT1G Datenblätter:

BSS138LT1G.PDF

BSS138-TP-Datenblätter:

BSS138-TP.PDF

Häufig gestellte Fragen [FAQ]

1. Wofür wird der BSS138LT1G verwendet?

Das BSS138LT1G ist ein N-Kanal-Power-MOSFET, das häufig in DC-zu-DC-Konvertern und Stromverwaltungssystemen in Geräten wie Computern, Druckern, PCMCIA-Karten sowie zellulären und kabellosen Telefonen verwendet wird.

2. Was ist der Schwellenspannungsbereich für das BSS138LT1G?

Der BSS138LT1G hat einen Schwellenspannungsbereich von 0,5 V bis 1,5 V, wodurch es für Anwendungen mit geringer Leistung gut geeignet ist.

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