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~~auf 2024/10/22~~

IRF1010E N-Kanal-MOSFET: Spezifikationen, Äquivalente und Datenblatt

Das IRF1010E ist eine Art von N-Kanalverstärkungs-MOSFET, die in der Welt der elektronischen Komponenten auffällt.Diese umfassende Übersicht zielt darauf ab, die Feinheiten des IRF1010E zu untersuchen und Einblicke in die Verwendung und technische Spezifikationen zu bieten.Verschiedene Komponenten wie Halbleiter, Kondensatoren, Widerstände und ICs sind allgegenwärtig und spielen jeweils einzigartig und rollen.Unter diesen tragen MOSFETs der N-Kanal-Verbesserung wie das IRF1010E zur Effizienz und Zuverlässigkeit zahlreicher elektronischer Schaltungen bei.Ihre umfangreichen Anwendungen umfassen Stromverwaltungssysteme, Automobiltechnologie und verschiedene Schaltvorgänge.

Katalog

1. IRF1010E -Übersicht

2. IRF1010e Pinout

3.. IRF1010E -Symbol, Fußabdruck und CAD -Modell

4. IRF1010EPBF -Spezifikationen

5. Wie kann ich das IRF1010E -MOSFET implementieren?

6. IRF1010E -Betrieb und -nutzung

7. Merkmale des IRF1010E MOSFET

8. Anwendungen von IRF1010E

9. IRF1010E -Verpackung

10. IRF1010E Herstellerinformationen

IRF1010E -Übersicht

Der IRF1010E ist ein N-Kanal-Verbesserungs-MOSFET, das sich in Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen auszeichnet.Das Design minimiert den Widerstand während des Betriebs und macht es zu einem hocheffizienten Spannungsgerät, bei dem die Gate-Spannung ihren Schaltzustand reguliert.Dieser optimierte Betrieb spielt in zahlreichen elektronischen Anwendungen eine Rolle, um einen geringen Stromverlust und eine hohe Leistung zu gewährleisten.

IRF1010E Vergleichbare Modelle

• IRF1010EPBF

• IRF1010EZPBF

• IRF1018EPBF

• IRF1010NPBF

• RFP70N06

• IRF1407

• IRFB4110

• IRFB4110G

• IRFB4115

• IRFB4310Z

• IRFB4310ZG

• IRFB4410

• RFP70N06

IRF1010e Pinout

IRF1010E N-Channel MOSFET Pinout

PIN -Nummer	Pin -Name	Beschreibung
1	TOR	Fungiert als Kontrollterminal und moduliert den Fluss von Strom zwischen Abfluss und Quelle.Verwenden Sie bei der Umschaltung von Anwendungen, die eine genaue Kontrolle über das Timing und die Genauigkeit fordern.
2	ABFLUSS	Dient als Ausgangspunkt für Strom, der durch die fließt MOSFET, oft mit der Last verbunden.Das Design um den Abfluss, einschließlich Kühlstrategien für Effizienz.
3	QUELLE	Der Einstiegspunkt für Strom, typischerweise mit dem verbunden Boden- oder Rückwegweg.Effektives Management ist für das Gerät benötigt Zuverlässigkeit und Lärmleistung.

IRF1010E -Symbol, Fußabdruck und CAD -Modell

IRF1010E Symbol

IRF1010E Footprint

IRF1010E 3D Model

IRF1010EPBF -Spezifikationen

Das IRF1010E von Infineon Technologies bietet technische Spezifikationen und umfasst Attribute wie Spannungsbewertungen, Stromhandhabung und thermische Eigenschaften.Das IRF1010EPBF hat ähnliche Spezifikationen, die für vergleichbare Verwendungen in elektronischen Schaltungen geeignet sind.

Typ	Parameter
Montieren	Durch Loch
Aktuelle Bewertung	3.4 a
Anzahl der Stifte	3
Transistorelementmaterial	SILIZIUM
Leistungsdissipation (max)	20 w
Betriebstemperatur (min)	-55 ° C.
Betriebstemperatur (max)	150 ° C.
Teilstatus	Aktiv
Konfiguration	EINZEL
Terminals	Axial
Rdson (auf Widerstand)	0,025 Ohm
Aktuelle Bewertung (max)	4.2 a
Spannung - RDS (ON) -Test	5v
Transistoranwendung	Umschalten
Polarität	N-Kanal
Gain (Hfe/ß) (min) @ ic, vCE	50 @ 2,5a, 10 V
VCE -Sättigung (max) @ ib, IC	1,6 V @ 3.2a, 5 V
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID)	3.4a
VGS (TH) (Gate -Schwellenspannung)	2.0-4.0v
Drainstrom (max)	4.2a
Total Gate Ladung (QG)	72 NC
Anstiegszeit	70ns
Fallzeit	62ns
Spannung - Gate -Schwelle (VGS)	4V
Tor zur Quellspannung (max)	20V
Zum Quellenwiderstand abtropfen lassen	0,02 Ohm
Nennspannung	40V
Breite	4.19 mm
Höhe	4,57 mm
Strahlung verhärtet	NEIN
Paket	To-220a
SVHC erreichen	NEIN
ROHS -konform	Ja
Frei führen	Ja

Wie implementieren Sie das IRF1010E -MOSFET?

Das IRF1010E zeichnet sich bei Hochgeschwindigkeitsschaltungen bei Lasten mit mittlerer Leistung aus.Sein Widerstand mit geringer Einführung minimiert die Spannungsabfälle und kürzt den Stromverlust ein. Damit ist er zu einer idealen Wahl für präzise und anspruchsvolle Anwendungen.Szenarien, die eine außergewöhnliche Effizienz erfordern, profitieren stark von dieser Funktion.Effizienz in Stromverwaltungssystemen kann durch die Optimierung des Energieverbrauchs durch das IRF1010E beobachtet werden.Wenn es den Stromverlust verringert, erleichtert diese MOSFET die Bedürfnisse des thermischen Ableitungsmittels und verbessert die Gesamtsystemstabilität.Dies ist in Umgebungen mit begrenzten Platz- und Kühloptionen vorteilhaft.Die Implementierung in fortschrittlichen Energiesystemen zeigt praktische Anwendungen wie dynamisch ausgleichende Stromlasten und die Ermöglichung einer längeren Betriebsdauer für batteriebetriebene Systeme.Motorcontroller profitieren von den Hochgeschwindigkeitsschaltfunktionen des IRF1010E.Die präzise Steuerung über die Schaltdynamik sorgt für einen reibungsloseren Elektromotorbetrieb und verbessert die Leistung und die Langlebigkeit.Praktische Implementierungen zeigen, dass eine höhere Drehmomenteffizienz erzielt und Verschleiß verringert wird, wodurch die Wartungskosten gesenkt werden.

IRF1010E -Betrieb und -nutzung

IRF1010E Application Circuit

In der Probenschaltung fungiert ein Motor als Last, und eine Steuereinheit verwaltet das Triggersignal.Die konzertierten Anstrengungen von Widerständen, Spannungsteilern und der MOSFET sorgen für eine Spitzenleistung.Die Widerstände R1 und R2 bilden einen Spannungsteiler, der die erforderliche Gate -Spannung liefert.Diese Gate -Spannung, die durch die Triggerspannung aus der Steuereinheit (V1) und der Gate -Schwellenspannung (V2) des MOSFET beeinflusst wird, erfordert Genauigkeit für eine genaue Systemreaktion auf Kontrollsignale.

Feinabstimmungswerte wirken sich stark auf die Schwellenempfindlichkeit und die Effizienz des Gesamtsystems aus.In industriellen Umgebungen, in denen Motoren eine präzise Kontrolle erfordern, verhindert das Anpassen des Spannungsteilers Probleme wie eine falsche Auslösen oder eine verzögerte Reaktion.Wenn die Gate -Spannung den Schwellenwert überschreitet, aktiviert das MOSFET, sodass der Strom durch den Motor fließen kann, wodurch er angeht.Umgekehrt nimmt die Gatespannung ab, wenn das Steuersignal abfällt, und deaktiviert das MOSFET und stoppt den Motor.

Die Geschwindigkeit und Effizienz des Schaltprozesses hängen auf Gate -Spannungsvariationen ab.Die Gewährleistung scharfer Übergänge verbessert die Leistung und Haltbarkeit des Motors.Durch die Implementierung der ordnungsgemäßen Abschirmung und Filterung erhöht sich die Zuverlässigkeit der Schaltung, insbesondere in schwankenden Umgebungen wie Automobilanwendungen.Die Rolle der Steuereinheit spielt zentral für die Funktionalität des IRF1010E.Es liefert die Triggerspannung, die den Gate -Spannungspegel für das MOSFET festlegt.Die Aufrechterhaltung einer hohen Kontrollsignalintegrität ist erforderlich, da Schwankungen oder Rauschen zu unvorhersehbarem MOSFET -Verhalten führen können, was sich auf die motorische Leistung auswirkt.

Merkmale des IRF1010E MOSFET

Schnittpodelle Technologie

Der IRF1010E verwendet hoch entwickelte Prozesstechnologie, die seine beeindruckende Leistung zeigt.Diese Technologie garantiert den effizienten Betrieb des Transistors über verschiedene Bedingungen hinweg, was insbesondere bei Halbleiteranwendungen verwendet wird, die Präzision und Zuverlässigkeit fordern.Dieser Fortschritt verbessert die Haltbarkeit und die Betriebsdauer des MOSFET.

Bemerkenswert niedriger vor Ort

Ein definierendes Merkmal des IRF1010E ist das außergewöhnlich niedrige On-Resistenz (RDS (ON)).Diese Funktion mildert Stromverluste während des Betriebs und steigert so die Effizienz.Es wird besonders in Kraft sensitiver Bereiche wie Elektrofahrzeuge und erneuerbare Energiesysteme verwendet, bei denen die Stromversorgung von Stromversorgung eine Priorität hat.Der verminderte Widerstand führt auch zu einer verringerten Wärmeerzeugung und verbessert das thermische Management des Systems.

Erhöhte DV/DT -Bewertung

Das IRF1010E zeichnet sich mit einer hohen DV/DT -Bewertung aus und zeigt seine Kapazität, um schnelle Spannungsschwankungen geschickt zu bewältigen.Dieses Merkmal eignet sich hervorragend in schnell sanften Szenarien, in denen das MOSFET ohne Leistungsverschlechterung schnell reagieren muss.Eine solche hohe DV/DT -Fähigkeit ist bei der Leistungselektronik vorteilhaft, um die Systemstabilität und Leistung auch unter schnellen Schaltbedingungen zu gewährleisten.

Robustes Betriebstemperatur von 175 ° C

Die Fähigkeit, bei Temperaturen bis zu 175 ° C zu arbeiten, ist eine weitere herausragende Qualität des IRF1010E.Komponenten, die die Zuverlässigkeit bei erhöhten Temperaturen aufrechterhalten, erweisen sich in anspruchsvollen Umgebungen wie Industriemaschinen und Automotoren.Diese Fähigkeit erweitert nicht nur das Anwendungsbereich des MOSFET, sondern verbessert auch die Betriebsdauer.

Schnelle Schaltfähigkeit

Die schnelle Schaltfähigkeit des IRF1010E ist ein Kernattribut in zahlreichen modernen Anwendungen.Das Swift -Switching verbessert die Effizienz und Leistung des Gesamtsystems für Anwendungen wie Computer -Netzteile und Motorsteuerungssysteme.Hier führt ein schnelles Wechsel zu einem geringeren Energieverbrauch und einer erhöhten Reaktionsfähigkeit.

Lawinenbewertung

Mit einer vollständigen Lawinenbewertung kann der IRF1010E hochenergische Pulse ertragen, ohne Schäden zu verursachen und seine Robustheit zu untermauern.Dieses Attribut wird in Anwendungen verwendet, die zu unerwarteten Spannungsstößen neigen, um die Zuverlässigkeit und Haltbarkeit des MOSFET zu gewährleisten.Dies macht es zu einer idealen Wahl für ein breites Spektrum an Stromantriebsanwendungen.

Umweltfreundliches Blei-freies Design

Die führende Konstruktion des IRF1010E entspricht den zeitgenössischen Umweltstandards und -vorschriften.Das Fehlen von Blei ist sowohl aus ökologischen als auch von gesundheitlichen Perspektiven von Vorteil, um die Einhaltung strenger globaler Umweltrichtlinien zu gewährleisten und deren Verwendung in verschiedenen Regionen zu erleichtern.

Anwendungen von IRF1010E

Anwendungen umschalten

Der IRF1010E leuchtet in verschiedenen Schaltanwendungen.Seine geringe On-Resistenz und hohe Stromfähigkeit fördern eine effiziente und zuverlässige Leistung.Diese Komponente wird in Systemen benötigt, die schnelle Umschaltungen fordern, um die Gesamteffizienz zu steigern.Die Eignung für den Umgang mit erheblicher Leistung macht es zu einer attraktiven Option für hochdarstellende Einstellungen wie Rechenzentren und Industriemaschinen, bei denen eine schnelle Reaktion und Zuverlässigkeit großartig sind.

Geschwindigkeitssteuerungseinheiten

In Geschwindigkeitsregeleinheiten wird der IRF1010E für den nahtlosen Umgang mit Hochspannungen und Strömen geschätzt.Es erweist sich ideal für die Kontrolle von Motoren in verschiedenen Anwendungen, von Automobile bis zu Präzisionsindustriegeräten.Andere haben bemerkenswerte Verbesserungen der motorischen Reaktion und Effizienz berichtet, was zu einer glatteren und genaueren Geschwindigkeitsmodulation führte.

Beleuchtungssysteme

Das IRF1010E ist auch in Beleuchtungssystemen hervorgerufen.Bei LED -Treibern, bei denen die aktuelle Kontrolle großartig ist, ist es vorteilhaft.Die Einbeziehung dieses MOSFET erhöht die Energieeffizienz und verlängert die Lebensdauer von Beleuchtungslösungen. Damit ist es sowohl in Gewerbe- als auch in Wohngebieten eine beliebte Wahl.Dieses MOSFET ist eng mit der modernen energiesparenden Beleuchtungstechnologie verbunden.

PWM -Anwendungen

PWM -Anwendungen (Pulse Width Modulation) profitieren stark von den schnellen Schaltfunktionen und Effizienz des IRF1010E.Durch die Implementierung dieser MOSFETs in Systemen wie Leistungswechselrunden und Audioverstärkern wird eine präzise Ausgangssignalsteuerung gewährleistet und die Leistung steigern.Dies verbessert die Systemstabilität mit konsistenten und zuverlässigen Betrieb.

Staffelfahrer

In Relais -Antriebsanwendungen liefert der IRF1010E die aktuelle Steuerung und Isolation für effektive Relaisoperationen.Seine Haltbarkeit und Zuverlässigkeit machen es für sicherheitsrelevante Anwendungen wie Automobil- und Industriesteuerungssysteme geeignet.Die praktische Verwendung zeigt, dass diese MOSFETs die Haltbarkeit des Systems verbessern und die Ausfallraten in anspruchsvollen Umgebungen verringern.

Schaltmodus-Netzteile

SMPS (Switch-Mode Netzteile) profitieren stark von der Verwendung des IRF1010E.Diese MOSFETs tragen zu einer höheren Effizienz und einer verringerten Wärmeableitung bei, wodurch die Gesamtleistung von Netzteilen verbessert wird.Die Attribute des IRF1010E machen es zu einer Hauptkomponente für die Bereitstellung einer stabilen und zuverlässigen Leistung für eine Vielzahl von elektronischen Geräten.

IRF1010E -Verpackung

IRF1010E Package

IRF1010E -Herstellerinformationen

Infineon Technologies, geboren von Siemens -Halbleitern, hat seinen Platz als prominenter Innovator in der Halbleiterindustrie gefestigt.Die expansive Produktlinie von Infineon umfasst neben einer Vielzahl diskreter Halbleiterkomponenten digitale, gemischte Signal- und Analogintegrierte Schaltungen (ICs).Diese Vielzahl von Produkten hat Infineon in verschiedenen technologischen Bereichen wie Automobile, Industriekraftkontrolle und Sicherheitsanwendungen einflussreich.Infineon Technologies führt weiterhin durch seinen innovativen Geist und seine umfangreiche Produktpalette.Ihre Bemühungen sind wichtig für die Förderung energieeffizienter Technologien und zeigen ein tiefes Verständnis der Marktdynamik und zukünftigen Richtungen.

Datenblatt PDF

Häufig gestellte Fragen [FAQ]

1. Was ist die Pin -Konfiguration von IRF1010E?

Die IRF1010E -MOSFET -PIN -Konfiguration enthält:

Pin 3: Quelle (üblicherweise mit dem Boden verbunden)

Pin 2: Drain (mit der Lastkomponente verknüpft)

Pin 1: Tor (dient als Auslöser für die Aktivierung des MOSFET)

2. Welche Bedingung für den Betrieb des IRF1010E?

Berücksichtigen Sie diese Spezifikationen beim Betrieb des IRF1010E:

Maximale Drain-Source-Spannung: 60 V

Maximaler kontinuierlicher Abflussstrom: 84a

Maximal gepulster Abflussstrom: 330a

Maximale Gate-Source-Spannung: 20V

Betriebstemperaturbereich: bis zu 175 ° C

Maximale Leistung Dissipation: 200W

Bitte die englische Version als offizielle Version nehmen

IRF1010E N-Kanal-MOSFET: Spezifikationen, Äquivalente und Datenblatt

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