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Der BS170 N-Kanal-MOSFET: Pinout und Äquivalente

Der BS170 N-Kanal-MOSFET ist ein Beweis für moderne Halbleiterförderungen, die hauptsächlich für Effizienz, Vielseitigkeit und Zuverlässigkeit bekannt sind.Dieser MOSFET in einem kompakten bis 92-Formular verpackt und bietet bemerkenswerte Schaltgeschwindigkeiten und verarbeitet Ströme von bis zu 500 mA, wodurch es ideal für verschiedene Anwendungen wie Hochgeschwindigkeitsschalt-, Verstärkungs- und Niederspannungsvorgänge ist.Egal, ob es sich um batteriebetriebene Geräte handelt oder kleine Motoren, der BS170 spielt eine wichtige Rolle bei der Verbesserung der Leistung und Effizienz elektronischer Systeme.In diesem Artikel werden wir die wichtigsten Anwendungen, technischen Attribute und die Art und Weise untersuchen, wie es nahtlos in verschiedene Designs integriert wird.

Katalog

BS170 Übersicht

Der BS170Ein N-Kanal-MOSFET mit einem bis 92-Paket veranschaulicht den Höhepunkt der modernen Halbleiterinnovation.Unter Verwendung von Fairchild Semiconductor-DMOS-Prozess mit hoher Dichte zeigt ein beeindruckend niedriger Widerstand und zuverlässige, schnelle Schaltfunktionen.Diese Eigenschaften belegen es zu einer Vielzahl von Anwendungen.Zum Beispiel verwaltet es Ströme bis zu 500 mA und führt Hochgeschwindigkeitsvorgänge innerhalb von bemerkenswerten 7 Nanosekunden durch.Daher wird es zu einer idealen Wahl für tragbare Geräte und batteriebetriebene Geräte, was zeigt, dass fortschrittliche Technologie unser tägliches Leben erheblich bereichern kann.

In der Welt der Anwendungen zeichnet sich der BS170 aufgrund seiner Angemessenheit bei der Behandlung hoher Ströme mit minimalem Stromverlust aus.Die Alarm-Reaktionszeit fördert eine außergewöhnliche Effizienz, ein aktives Merkmal für Geräte, die zur Ausführung von schnellen Ein-Off-Zyklen verlangt werden.Die Nutzung dieses MOSFET in solchen Szenarien erhöht die betriebliche Effizienz ähnlich wie genaue industrielle Steuerungssysteme die Produktivität verstärken. Die außergewöhnliche Schaltgeschwindigkeit des BS170 und den Höhepunkt bei 7 Nanosekunden festigt, verfestigt seine Rolle in Hochgeschwindigkeitsanwendungen.In Kommunikationssystemen, in denen die Swift-Datenübertragung erforderlich ist, sorgt die schnelle Fähigkeiten des MOSFET für eine verringerte Latenz und erhöhen die Leistungszuverlässigkeit.Diese Fähigkeit spiegelt die Optimierung von Workflow -Prozessen wider, die in wettbewerbsfähigen Geschäftslandschaften erforderlich sind.

Der BS170 dient als Verstärker und bietet die Anforderungen an die Audioverstärkungsanforderungen und liefert klare und präzise Klangqualität.Darüber hinaus zeichnet es sich in der allgemeinen Signalverstärkung hervor und stärkt schwache Signale ohne wesentliche Rauschen oder Verzerrungen.Diese Funktion ähnelt der Verbesserung der Klarheit in der Teamkommunikation und stellt sicher, dass Anweisungen verständlich und Aufgaben präzise ausgeführt werden.Der BS170 erweist sich bei niedrigen Spannungs- und Stromanwendungen als bemerkenswert wirksam, wie z.Die Zuverlässigkeit dieser Rollen kann in wissenschaftlichen Experimenten, die Präzision und minimale Fehlerränder erfordern, mit fein kalibrierten Instrumenten verglichen werden, um sicherzustellen, dass die Aufgaben ohne Raum für Fehler akribisch erledigt werden.

BS170 PINOUT -Diagramm

BS170 CAD -Darstellung

Schematisches Symbol

PCB -Fußabdruck

3D -Visualisierung

BS170 -Attribute

Besonderheit	Beschreibung
Paket	To-92
Transistor Typ	N-Kanal
Abfluss Spannung (VDS)	60 V (Maximal)
Tor Spannung (VGS) zur Quelle	± 20 V (Maximal)
Kontinuierlich Drainstrom (ID)	500 mA (Maximal)
Gepulst Drainstrom (ID)	500 mA (Maximal)
Leistung Dissipation (PD)	830 mw (Maximal)
Tor Schwellenspannung (VGS (TH))	0,8 V (Minimum)
Lagerung & Betriebstemperatur	-55 ° C. bis +150 ° C.
Pb-frei	Ja
Niedrig Versatz und Fehlerspannung	Ja
Leicht Ohne Puffer gefahren	Ja
Hochdichte Zelldesign	Minimiert Widerstand auf den Staat (RDS (ON))
Stromspannung Gesteuerter kleiner Signalschalter	Ja
Hoch Sättigungsstromfähigkeit	Ja
Robust und zuverlässig	Ja
Schnell Zeitschaltzeit (Tonne)	4ns

Technische Details

Typ	Wert
Fabrik Vorlaufzeit	11 Wochen
Kontakt Überzug	Kupfer, Silber, Zinn
Montieren	Durch Loch
Montage Typ	Durch Loch
Paket / Fall	To-226-3, To-92-3 (to-226aa)
Nummer von Stiften	3
Anbieter Gerätepaket	To-92-3
Gewicht	4.535924g
Aktuell - kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ℃	500 mA Ta
Fahren Spannung (maximale RDS, min RDS eins)	10V
Nummer von Elementen	1
Leistung Dissipation (max)	830 mw Ta
Betrieb Temperatur	-55 ° C ~ 150 ° C. Tj
Verpackung	Schüttgut
Veröffentlicht	2005
Teil Status	Aktiv
Feuchtigkeit Sensitivitätsniveau (MSL)	1 (Unbegrenzt)
Widerstand	5ohm
Max Betriebstemperatur	150 ° C.
Min Betriebstemperatur	-55 ° C.
Stromspannung - bewertet DC	60 V
Aktuell Bewertung	500 mA
Base Teilenummer	BS170
Stromspannung	60 V
Element Konfiguration	Einzel
Aktuell	5a
Leistung Dissipation	830 mw
Fet Typ	N-Kanal
Rds Auf (max) @ id, vgs	5ohm @ 200 mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ id	3V @ 1ma
Eingang Kapazität (CISS) (max) @ vds	40pf @ 10v
Abfluss Spannung (VDSS) zur Quelle	60 V
Vgs (Max)	± 20 V
Kontinuierlich Drainstrom (ID)	500 mA
Schwelle Stromspannung	2.1V
Tor Spannung (VGS) zur Quelle	20V
Abfluss Umbruchspannung	60 V
Eingang Kapazität	24Pf
Abfluss Widerstand Quelle	5ohm
Rds Auf max	5ω
Nominal Vgs	2.1V
Höhe	5.33 mm
Länge	5.2mm
Breite	4.19 mm
ERREICHEN SVHC	NEIN SVHC
Strahlung Härten	NEIN
Rohs Status	Rohs3 Konform
Führen Frei	Führen Frei

BS170 -Ersatz

Teilenummer	Beschreibung	Hersteller
ND2406L-TR1TRANSISTORS	Klein Signalfeldeffekttransistor, 0,23a I (D), 240 V, 1-Element, N-Kanal, Silizium, Metalloxid-Halbleiterfet, bis-226aa, bis 92, 3 Pin	Vishay Siliconix
BSN20BK-Transistoren	Klein Signalfeldeffekttransistor, 0,265A I (D), 60 V, 1-Element, N-Kanal, Silizium, Metalloxid-Halbleiterfet, bis-236ab	Nexperia
VN1310N3P015TRANSISTORS	Klein Signalfeldeffekttransistor, 0,25a I (D), 100 V, 1-Element, N-Kanal, Silizium, Metalloxid-Halbleiterfet, bis 92	Supertex Inc.
VN1710LP018TRANSISTORS	Klein Signalfeldeffekttransistor, 0,22a I (D), 170 V, 1-Element, N-Kanal, Silizium, Metalloxid-Halbleiterfet, bis 92	Supertex Inc.
MPF6659Transistoren	2000 mA, 35 V, N-Kanal, SI, kleines Signal, MOSFET, bis 92	Motorola Mobilität LLC
SST4118T1TRANSISTORS	Klein Signalfeldeffekttransistor, 1-Element, N-Kanal, Silizium, Übergangsfet, Plastikpaket-3	Calogic Inc.
BS208-AMTRANSISTORS	TRANSISTOR 200 Ma, 200 V, P-Kanal, SI, kleines Signal, MOSFET, bis 92, FET General Zweck kleines Signal	NXP Halbleiter
SD1106DDTransistoren	Leistung Feldeffekttransistor, N-Kanal, Metalloxid-Halbleiterfet	Topas Halbleiter
BSS7728E6327Transistoren	Klein Signalfeldeffekttransistor, 0,15a I (D), 60 V, 1-Element, N-Kanal, Silizium, Metalloxid-Halbleiterfet, SOT-23, 3 Pin	Infineon Technologien AG
2SK1585-T2Transistoren	Klein Signalfeldeffekttransistor, 1a I (D), 16 V, 1-Element, N-Kanal, Silizium, Metalloxid-Halbleiterfet, Strom, Miniform, SC-62, 3 Pin	NEC Elektronikgruppe

BS170 Äquivalente

2N7000

2N7002

VQ1000J

VQ1000P

IRLML2502

Erforschung der Anwendungen von BS170

Das BS170 -MOSFET zeigt einen bemerkenswerten Nutzen sowohl bei Schalt- als auch bei Verstärkungsfunktionen und macht es zu einer grundlegenden Komponente in verschiedenen elektronischen Designs.

Anwendungen umschalten

Der BS170-Lasten von bis zu 500 mA ist für Fahrgeräte wie Relais, LEDs und kleine Motoren gut geeignet.Diese Kapazität des Lasthandlings ist in Mikrocontroller-basierten Projekten größtenteils vorteilhaft, insbesondere bei Plattformen wie Arduino und Raspberry Pi.Die Einfachheit der Steuerung des BS170 mit niedrigen Spannungssignalen steht im Einklang mit den Ausgangseigenschaften dieser Mikrocontroller.Diese Kongruenz ermöglicht eine reibungslose Integration, ohne dass zusätzliche Verstärkungsschaltungen erforderlich sind.In praktischen Anwendungen können Sie sich häufig an den BS170 wenden, um sich mit Relais zu schneiden und Methoden zu entwickeln, um höhere Strombelaste mit minimalem Dehnungssaugen für den Mikrocontroller zu wechseln.In ähnlicher Weise zeichnet sich bei der Verwaltung von LED -Arrays die BS170 in der Stromverteilung aus und gewährleisten eine konsistente und stetige Leistung.

Verstärkungsanwendungen

Der BS170 ist auch in Verstärkungsszenarien von unschätzbarem Wert, einschließlich Audioschaltungen und Signalverstärkung auf niedriger Ebene.Der Betrieb mit minimaler Gate -Spannung verbessert die Effizienz und aktiv für eine präzise Steuerung über Ausgangssignale.Diese Effizienz wird größtenteils in Audiogeräten geschätzt, bei denen Klarheit und Treue nicht beeinträchtigt werden können.Darüber hinaus findet die Fähigkeit des BS170, Signale mit niedrigem Niveau zu verstärken, eine bemerkenswerte Anwendung bei empfindlichen Sensoraufgaben.In Umgebungsüberwachungssystemen ist beispielsweise die Notwendigkeit, schwache Signale aus Temperatur- oder Feuchtigkeitssensoren ohne beträchtliche Rauschen zu verstärken.Diese Verstärkung sorgt für eine präzise Datenrepräsentation und unterstützt fundiertere Entscheidungen.

Vergleichende Analyse mit bipolaren Übergangstransistoren (BJTs)

Sowohl MOSFETs als auch BJTS -Steuerstrom in Schaltkreisen, der BS170 unterstreicht jedoch unterschiedliche Unterschiede in den Kontrollmechanismen.Im Gegensatz zu BJTs, die einen kontinuierlichen Strom an der Basis benötigen, um den Collector-Emitter-Strom zu modulieren, benötigt der BS170 nur eine kleine Gate-Spannung.Dieses Attribut verringert den Stromverbrauch und vereinfacht die Kontrolllogikschaltungen.

Mikrocontrollerausgänge

Mikrocontroller benötigen häufig einen Vermittler, um verschiedene Lasten zu treiben, da sie nur begrenzte Logikpegelausgänge ausführen.Der BS170 befasst sich mit diesem Bedarf, indem sie niedrige Spannungseingänge akzeptiert und höhere Stromausgänge liefern.Diese Erweiterung der Fähigkeiten ähnelt einiger Verwendung eines Adapters zum Verknüpfen von inkompatiblen Geräten, wodurch der operative Umfang der Mikrocontroller erweitert wird.

IC -Ausgänge

Bei der Schnittstelle integrierte Schaltungen mit Peripheriegeräten fungiert der BS170 als Puffer, um die Last auf empfindlichen IC -Ausgängen zu minimieren.Diese Praxis wird häufig in der Elektronik beobachtet, um die Zuverlässigkeit von IC-basierten Systemen zu fördern und sicherzustellen, dass sie reibungslos ohne unangemessene Spannung der Komponenten laufen.

Signalverstärkung

Die Vielseitigkeit des BS170 leuchtet in zahlreichen Anwendungen für niedrige Stromverstärkungsanwendungen.Es erweist sich als nützlich in Telemetrie, kleinen Senderschaltungen und analogen Signalvergrößerung.Stellen Sie sich vor, ein schwaches Wi-Fi-Signal zu verbessern, bei dem jeder Boost für eine bessere Konnektivität zählt.

Industrieautomatisierung (z. B. Maschinensteuerungen, Lichtbarrieren)

In der industriellen Automatisierung ist die Robustheit des BS170 ideal für Maschinensteuerungssysteme und Lichtbarrieren.Es schaltet hohe Lasten effizient um und stellt sicher, dass der reibungslose Betrieb bei der Verringerung der Ausfallzeiten und der Steigerung der Produktivität aktiv ist.Sie können sich auf solche Komponenten verlassen, um die Systeme optimal laufen zu lassen.

Batteriebetriebene Geräte

Bei batteriebetriebenen Geräten sind der niedrige Stromverbrauch und die hohe Effizienz des BS170 erforderlich.Es verlängert die Akkulaufzeit durch Minimierung der Energieverschwendung.

Festkörperrelais

In viele Festkörperrelais eingebaut, greift der BS170 erhebliche Lasten mit minimalem mechanischen Verschleiß auf, der einen stillen Betrieb und eine höhere Zuverlässigkeit bietet.Diese ruhige und zuverlässige Funktion ist ein bemerkenswertes Kapital in Umgebungen wie medizinischen Geräten, in denen mechanisches Schaltgeräusch unerwünscht ist.

Gerätetreiber (z. B. Relais, Magnetloide, Lampen)

Der BS170 ist für Geräte -Treiber für Relais, Magnetoide und Lampen grundlegend.Seine zuverlässigen Schaltfunktionen sind nützlich, um die operative Integrität aufrechtzuerhalten, hauptsächlich in Automobilanwendungen, in denen Robustheit und Haltbarkeit hoch geschätzt werden.

Logikebene (TTL/CMOs) auf Logikebene

Der BS170 ermöglicht die Wechselwirkung zwischen TTL- und CMOS -Logikfamilien und sorgt für eine nahtlose Kommunikation über verschiedene Logikschaltungen.Diese Integration ist in Mischtechnologie-Designs aktiv, bei denen vielfältige Komponentenkompatibilität und Systemleistung dominieren.

Verwendung des BS170 für die LED -Kontrolle

Das BS170 MOSFET ist der Schlüssel zum Umschalten einer LED in diesem ultimativen Setup.Um dieses Setup festzulegen, verbinden Sie die Gate- und Drain -Klemmen an eine 5 -V -DC -Stromquelle und legen Sie die LED zum Quellanschluss an.Wenn ein Spannungsimpuls auf das Tor angelegt wird, wird das MOSFET aktiviert, sodass der Strom von der Abfluss zur Quelle fließen kann und die LED einschalten kann.Das Entfernen des Impulses hört den Stromfluss auf und löscht die LED.

Der BS170, ein N-Kanal-MOSFET, arbeitet auf der Spannungsdifferential zwischen seinen Gate- und Quellanschlüssen.Zu den wichtigsten operativen Fakten gehören, dass das MOSFET seinen leitenden Zustand betritt, wenn die Gate-to-Source-Spannung (V_GS) etwa 2 V überschreitet.Diese Eigenschaft sorgt für einen effizienten Wechsel mit minimalem Stromverlust.Aufgrund dieser Effizienz passt es beispielsweise bei der Umschaltung einer LED niedrige Spannungsanwendungen.

Diese ultimative Schaltung kann sich zu verschiedenen praktischen Anwendungen entwickeln.Beispielsweise integrieren Sie einen Mikrocontroller zur Regulierung des Gate -Impulses.Dies ermöglicht die LED, bei bestimmten Frequenzen zu blinken oder komplexe Muster anzuzeigen.Solche Integrationen sind in elektronischen Projekten universell, von grundlegenden Indikatoren bis hin zu ausgefeilten Signalsystemen.Das Entwerfen von Schaltungen mit MOSFETs wie dem BS170 erfordert häufig iterative Tests, um die Gate -Spannung für eine zuverlässige Leistung zu perfektionieren.Die Gewährleistung sicherer Anschlüsse und eine stabile Stromversorgung steigert die Zuverlässigkeit der Schaltung erheblich.

Verpackung für BS170

Herstellerinformationen

Auf dem Halbleiter steht eine global einflussreiche Einheit in den verschiedenen Dominion von Macht, Signalmanagement, Logik und benutzerdefinierten Geräten.Sie richten sich an Sektoren, die sich über Automobile, Unterhaltungselektronik und Gesundheitswesen erstrecken.Mit einer strategischen Präsenz, die Einrichtungen und Büros in Nordamerika, Europa und Asien sowie in Phoenix, Arizona, über Semiconductor umfasst, ist die sich entwickelnden Anforderungen der Branche vorgesehen.

Über Semiconductors Engagement für technologische Fortschritte zeigt sich in seinem umfangreichen Portfolio.Ihre Produkte bilden das Rückgrat zeitgenössischer Automobilkonstruktionen und verbessern die Sicherheit, Konnektivität und Energieeffizienz der Fahrzeuge.Dies führt zu konkreten Vorteilen wie weniger Unfällen und einem glatteren Fahrerlebnis.

Ihre Signalmanagementlösungen spielen eine Hauptaufgabe bei der Verbesserung der Unterhaltungselektronik und gewährleisten zuverlässigere und fortschrittlichere Erfahrungen.Stellen Sie sich den nahtlosen Betrieb Ihrer Smart -Home -Geräte dank dieser Innovationen vor.Im medizinischen Sektor erleichtern die benutzerdefinierten Geräte von Semiconductor fortgeschrittene Gesundheitstechnologien und tragen zu verbesserten Patientenergebnissen und optimierten medizinischen Operationen bei - und machen Behandlungen effektiver und weniger invasiver.

Vergleichbare Komponenten

Teilenummer

Hersteller

Montieren

Paket / Fall

Abtropfen Sie zur Quellspannung (VDSS)

Kontinuierlicher Abflussstrom (ID)

Strom - kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C

Schwellenspannung

RDS auf Max

Gate to Quellspannung (VGS)

Leistungsdissipation

Leistungsdissipationsmax

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BS170

AN Halbleiter

Durch Loch

To-226-3, To-92-3 (to-226aa)

60 V

500 ma

500 mA (Ta)

2.1 V

5 ω

20 v

830 MW

830 mw (Ta)

BS170

BS270

AN Halbleiter

Durch Loch

To-226-3, To-92-3 (to-226aa)

- -

400 ma

400 mA (Ta)

2.1 V

- -

20 v

630 MW

625 mw (Ta)

BS170 VS BS270

2N7000

AN Halbleiter

Durch Loch

To-226-3, To-92-3 (to-226aa)

60 V

200 ma

200 mA (Ta)

2.1 V

5 ω

20 v

400 MW

400 mw (Ta)

BS170 Vs 2n7000