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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel12A02CH-TL-E
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12A02CH-TL-E - onsemi

Hersteller Artikelnummer
12A02CH-TL-E
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-12A02CH-TL-E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 12V 1A 3CPH
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-96
Datenblatt
12A02CH.pdf
RoHS Status
vorrätig: 396550

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Anzahl

Spezifikation

12A02CH-TL-E Tech -Spezifikationen
onsemi - 12A02CH-TL-E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - 12A02CH-TL-E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 12 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 240mV @ 20mA, 400mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse 3-CPH  
Serie -  
Leistung - max 700 mW  
Verpackung / Gehäuse SC-96  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 450MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 300 @ 10mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1 A  
Grundproduktnummer 12A02  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi 12A02CH-TL-E.

Produkteigenschaften 12A02CH-TL-E NSS40200UW6T1G BC807-40QCZ 12A02MH-TL-E
Artikelnummer 12A02CH-TL-E NSS40200UW6T1G BC807-40QCZ 12A02MH-TL-E
Hersteller onsemi onsemi Nexperia USA Inc. onsemi
Serie - - Automotive, AEC-Q101 -
Transistor-Typ PNP PNP - PNP
Leistung - max 700 mW 875 mW 380 mW 600 mW
Grundproduktnummer 12A02 NSS40200 - 12A02
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 240mV @ 20mA, 400mA 300mV @ 20mA, 2A 700mV @ 50mA, 500mA 240mV @ 20mA, 400mA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1 A 2 A 500 mA 1 A
Verpackung / Gehäuse SC-96 6-WDFN Exposed Pad 3-XDFN Exposed Pad SC-70, SOT-323
Supplier Device-Gehäuse 3-CPH 6-WDFN (2x2) DFN1412D-3 3-MCPH
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 300 @ 10mA, 2V 150 @ 1A, 2V 250 @ 100mA, 1V 300 @ 10mA, 2V
Frequenz - Übergang 450MHz 140MHz 80MHz 450MHz
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 12 V 40 V 45 V 12 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount, Wettable Flank Surface Mount

12A02CH-TL-E Datenblatt PDF

Laden Sie 12A02CH-TL-E PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für 12A02CH-TL-E - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Raw Material Change 22/Jul/2015.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 7/Apr/2021.pdf
Datenblätter
12A02CH.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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