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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2N5886G
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

2N5886G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
2N5886G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-2N5886G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 80V 25A TO204
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-204AA, TO-3
Datenblatt
2N5883-5886.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4400

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Anzahl

Spezifikation

2N5886G Tech -Spezifikationen
onsemi - 2N5886G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - 2N5886G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 80 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 4V @ 6.25A, 25A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-204 (TO-3)  
Serie -  
Leistung - max 200 W  
Verpackung / Gehäuse TO-204AA, TO-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tray  
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 4MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 20 @ 10A, 4V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 2mA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 25 A  
Grundproduktnummer 2N5886  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi 2N5886G.

Produkteigenschaften 2N5886G 2N5962 2N5884 2N5879
Artikelnummer 2N5886G 2N5962 2N5884 2N5879
Hersteller onsemi onsemi NTE Electronics, Inc Microchip Technology
Verpackung / Gehäuse TO-204AA, TO-3 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-204AA, TO-3 -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 4V @ 6.25A, 25A 200mV @ 500µA, 10mA 4V @ 6.25A, 25A -
Serie - - - *
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 80 V 45 V 80 V -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 20 @ 10A, 4V 600 @ 10mA, 5V 20 @ 10A, 4V -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 25 A 100 mA 25 A -
Supplier Device-Gehäuse TO-204 (TO-3) TO-92-3 TO-204 (TO-3) -
Paket Tray Bulk Bag Bulk
Grundproduktnummer 2N5886 2N5962 - 2N5879
Transistor-Typ NPN NPN PNP -
Leistung - max 200 W 625 mW 200 W -
Strom - Collector Cutoff (Max) 2mA 2nA (ICBO) 2mA -
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ) -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole -
Frequenz - Übergang 4MHz - 4MHz -

2N5886G Datenblatt PDF

Laden Sie 2N5886G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für 2N5886G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 08/Jul/2021.pdf
Datenblätter
2N5883-5886.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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