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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2N5962
2N5962 Image
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2N5962 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
2N5962
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-2N5962
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Datenblatt
2N5962, MMBT5962.pdf
vorrätig: 4150

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Anzahl

Spezifikation

2N5962 Tech -Spezifikationen
onsemi - 2N5962 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - 2N5962

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 45 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3  
Serie -  
Leistung - max 625 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 600 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 2nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer 2N5962  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi 2N5962.

Produkteigenschaften 2N5962 2N5886 2N5884 2N5961
Artikelnummer 2N5962 2N5886 2N5884 2N5961
Hersteller onsemi NTE Electronics, Inc Microchip Technology onsemi
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 500µA, 10mA 1V @ 1.5A, 15A - 200mV @ 500µA, 10mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 45 V 80 V - 60 V
Paket Bulk Bag Bulk Bulk
Strom - Collector Cutoff (Max) 2nA (ICBO) 2mA - 2nA (ICBO)
Befestigungsart Through Hole Through Hole - Through Hole
Leistung - max 625 mW 200 W - 625 mW
Serie - - * -
Frequenz - Übergang - 4MHz - -
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3 TO-204 (TO-3) - TO-92-3
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 25 A - 100 mA
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-204AA, TO-3 - TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor-Typ NPN NPN - NPN
Grundproduktnummer 2N5962 - 2N5884 2N5961
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 600 @ 10mA, 5V 20 @ 10A, 4V - 150 @ 10mA, 5V

2N5962 Datenblatt PDF

Laden Sie 2N5962 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für 2N5962 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 14/Mar/2011.pdf
Datenblätter
2N5962, MMBT5962.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandkosten

  1. Verwenden Sie Ihr Expresskonto für den Versand, wenn Sie einen haben.
  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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