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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelATP401-TL-H
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ATP401-TL-H - onsemi

Hersteller Artikelnummer
ATP401-TL-H
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-ATP401-TL-H
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 100A ATPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
ATPAK (2 Leads+Tab)
Datenblatt
ATP401.pdf
vorrätig: 4240

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Anzahl

Spezifikation

ATP401-TL-H Tech -Spezifikationen
onsemi - ATP401-TL-H Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - ATP401-TL-H

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ATPAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 90W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse ATPAK (2 Leads+Tab)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 17000 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Ta)  
Grundproduktnummer ATP401  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi ATP401-TL-H.

Produkteigenschaften ATP401-TL-H ATP214-TL-H ATP301-TL-H ATP216-TL-H
Artikelnummer ATP401-TL-H ATP214-TL-H ATP301-TL-H ATP216-TL-H
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 17000 pF @ 20 V 4850 pF @ 20 V 4000 pF @ 20 V 2700 pF @ 20 V
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse ATPAK ATPAK ATPAK ATPAK
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4V, 10V 10V 1.8V, 4.5V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Ta) 75A (Ta) 28A (Ta) 35A (Ta)
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V 96 nC @ 10 V 73 nC @ 10 V 30 nC @ 4.5 V
Verlustleistung (max) 90W (Tc) 60W (Tc) 70W (Tc) 40W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer ATP401 ATP214 ATP301 ATP216
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 100 V 50 V
Verpackung / Gehäuse ATPAK (2 Leads+Tab) ATPAK (2 Leads+Tab) ATPAK (2 Leads+Tab) ATPAK (2 leads+tab)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 50A, 10V 8.1mOhm @ 38A, 10V 75mOhm @ 14A, 10V 23mOhm @ 18A, 4.5V

ATP401-TL-H Datenblatt PDF

Laden Sie ATP401-TL-H PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für ATP401-TL-H - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices 31/Jan/2019.pdf
Datenblätter
ATP401.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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