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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelATP602-TL-H
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ATP602-TL-H - onsemi

Hersteller Artikelnummer
ATP602-TL-H
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-ATP602-TL-H
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 5A ATPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
ATPAK (2 Leads+Tab)
Datenblatt
ATP602-TL-H.pdf
vorrätig: 5120

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Anzahl

Spezifikation

ATP602-TL-H Tech -Spezifikationen
onsemi - ATP602-TL-H Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - ATP602-TL-H

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ATPAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7Ohm @ 2.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 70W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse ATPAK (2 Leads+Tab)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.6 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Ta)  
Grundproduktnummer ATP602  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi ATP602-TL-H.

Produkteigenschaften ATP602-TL-H ATP304-TL-H ATP401-TL-H ATP405-TL-H
Artikelnummer ATP602-TL-H ATP304-TL-H ATP401-TL-H ATP405-TL-H
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7Ohm @ 2.5A, 10V 6.5mOhm @ 50A, 10V 3.7mOhm @ 50A, 10V 33mOhm @ 20A, 10V
Verpackung / Gehäuse ATPAK (2 Leads+Tab) ATPAK (2 leads+tab) ATPAK (2 Leads+Tab) ATPAK (2 leads+tab)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.6 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Ta) 100A (Ta) 100A (Ta) 40A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 30 V 13000 pF @ 20 V 17000 pF @ 20 V 4000 pF @ 20 V
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 70W (Tc) 90W (Tc) 90W (Tc) 70W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer ATP602 ATP304 ATP401 ATP405
Supplier Device-Gehäuse ATPAK ATPAK ATPAK ATPAK
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 60 V 60 V 100 V

ATP602-TL-H Datenblatt PDF

Laden Sie ATP602-TL-H PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für ATP602-TL-H - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Lead Frame Material Update 09/Apr/2014.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL 21/Apr/2016.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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