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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBFL4026-1E
onsemi
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BFL4026-1E - onsemi

Hersteller Artikelnummer
BFL4026-1E
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-BFL4026-1E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 3.5A TO220F-3FS
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
BFL4026.pdf
RoHS Status
vorrätig: 13232

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Anzahl

Spezifikation

BFL4026-1E Tech -Spezifikationen
onsemi - BFL4026-1E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - BFL4026-1E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3FS  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 2.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 2W (Ta), 35W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Tc)  
Grundproduktnummer BFL4026  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi BFL4026-1E.

Produkteigenschaften BFL4026-1E PMV160UP,215 BFL4037 SIDR668DP-T1-GE3
Artikelnummer BFL4026-1E PMV160UP,215 BFL4037 SIDR668DP-T1-GE3
Hersteller onsemi Nexperia USA Inc. Sanyo Vishay Siliconix
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id - 950mV @ 250µA 5V @ 1mA 3.4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 2.5A, 10V 210mOhm @ 1.2A, 4.5V 430mOhm @ 8A, 10V 4.8mOhm @ 20A, 10V
Serie - - - TrenchFET® Gen IV
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-220-3 Full Pack PowerPAK® SO-8
Vgs (Max) ±30V ±8V ±30V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3FS TO-236AB TO-220FI(LS) PowerPAK® SO-8DC
Paket Tube Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer BFL4026 PMV160 - SIDR668
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 1.8V, 4.5V - 7.5V, 10V
Verlustleistung (max) 2W (Ta), 35W (Tc) 335mW (Ta), 2.17W (Tc) 2W (Ta), 40W (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 30 V 365 pF @ 10 V 1200 pF @ 30 V 5400 pF @ 50 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V 20 V 500 V 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V 4 nC @ 4.5 V 48.6 nC @ 10 V 108 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Tc) 1.2A (Ta) 11A (Tc) 23.2A (Ta), 95A (Tc)

BFL4026-1E Datenblatt PDF

Laden Sie BFL4026-1E PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für BFL4026-1E - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 7/Apr/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly/Mold Chg 20/Mar/2019.pdf
Datenblätter
BFL4026.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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