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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBFL4001-1E
onsemi
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BFL4001-1E - onsemi

Hersteller Artikelnummer
BFL4001-1E
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-BFL4001-1E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 4.1A TO220-3 FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
BFL4001-1E.pdf
vorrätig: 5070

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Anzahl

Spezifikation

BFL4001-1E Tech -Spezifikationen
onsemi - BFL4001-1E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - BFL4001-1E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7Ohm @ 3.25A, 10V  
Verlustleistung (max) 2W (Ta), 37W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.1A (Tc)  
Grundproduktnummer BFL40  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi BFL4001-1E.

Produkteigenschaften BFL4001-1E IRLZ44PBF BFL4037 IRF1404LPBF
Artikelnummer BFL4001-1E IRLZ44PBF BFL4037 IRF1404LPBF
Hersteller onsemi Vishay Siliconix Sanyo Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 30 V 3300 pF @ 25 V 1200 pF @ 30 V 7360 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±10V ±30V ±20V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.1A (Tc) 50A (Tc) 11A (Tc) 162A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 TO-220-3 Full Pack TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
VGS (th) (Max) @ Id - 2V @ 250µA 5V @ 1mA 4V @ 250µA
Grundproduktnummer BFL40 IRLZ44 - IRF1404
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tube Bulk Tube
Verlustleistung (max) 2W (Ta), 37W (Tc) 150W (Tc) 2W (Ta), 40W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4V, 5V - 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7Ohm @ 3.25A, 10V 28mOhm @ 31A, 5V 430mOhm @ 8A, 10V 4mOhm @ 95A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V 66 nC @ 5 V 48.6 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V
Serie - - - HEXFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V 60 V 500 V 40 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG TO-220AB TO-220FI(LS) TO-262

BFL4001-1E Datenblatt PDF

Laden Sie BFL4001-1E PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für BFL4001-1E - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices 28/Apr/2017.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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